[发明专利]一种基于腔模共振的太赫兹传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种对谐振频率可主动调谐的基于腔模共振的太赫兹传感器，其特征在于：包括：基体和平行排列的若干线性传感器单元，传感器单元的结构包括介质填充区和外围的金属太赫兹反射腔结构，其中介质填充于金属内部空腔以及金属腔顶部的开口槽部分，其主视图呈“凸”字形；

所述介质填充区是由介质折射率介于1～10之间的介质构成，外围金属太赫兹反射腔结构的材料为金，包括金空腔以及在腔顶部的开口槽两部分；

太赫兹反射腔的深度为30μm～120μm，宽度为10μm～100μm；顶部金属开口槽的高度为1～10μm，宽度为10～100μm；

制作该传感器的方法，包括如下步骤：

在两块清洗后的高阻硅衬底上旋涂光刻胶层；

在光刻胶层用紫外光刻法或激光直写进行曝光、显影、去胶，得到图形；

沿着所述图形刻蚀出沟槽，其中，第一高阻硅衬底的沟槽宽度和深度分别大于第二高阻硅衬底的沟槽宽度和深度，且两块高阻硅衬底的沟槽位置相对应；

在沟槽内生长金属反射层；

将两块高阻硅衬底的图形侧利用金金键合工艺对准键合，使两块高阻硅衬底的沟槽开口相对设置；

将第二高阻硅衬底进行机械磨抛，使剩余的部分的厚度为1-10μm；

将介质填充于沟槽中。