[发明专利]基于移相全桥的高频隔离双向直流变换器和并网储能系统在审
申请号: | 201911253372.4 | 申请日: | 2019-12-09 |
公开(公告)号: | CN110957923A | 公开(公告)日: | 2020-04-03 |
发明(设计)人: | 胡咸兵;邓礼宽;柏建国 | 申请(专利权)人: | 深圳市优优绿能电气有限公司 |
主分类号: | H02M3/335 | 分类号: | H02M3/335;H02M7/5387;H02J3/32 |
代理公司: | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人: | 邹秋菊 |
地址: | 518000 广东省深圳市光明区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 移相全桥 高频 隔离 双向 直流 变换器 并网 系统 | ||
1.一种基于移相全桥的高频隔离双向直流变换器,其特征在于,包括:依次电连接的升压储能滤波模块、输入开关网络、变压器模块、移相全桥控制模块、输出开关网络,以及与所述移相全桥控制模块连接的投切控制模块,所述移相全桥控制模块包括谐振单元和二极管导通控制单元,所述升压储能滤波模块连接输入电源的正极和负极;所述投切控制模块电连接所述二极管导通控制单元以用于在正向变换时控制所述谐振单元投出,在反向变换时控制所述谐振单元投入。
2.根据权利要求1所述的基于移相全桥的高频隔离双向直流变换器,其特征在于,所述二极管导通控制单元包括第一二极管和第二二极管,所述第一二极管的阴极连接所述输出开关网络的第一端、阳极连接所述第二二极管的阴极,所述第二二极管的阳极连接所述输出开关网络的第二端,所述输出开关网络的第三端连接所述谐振单元的第一端,所述谐振单元的第二端连接所述变压器模块的副边第一端,所述输出开关网络的第四端连接所述变压器模块的副边第二端。
3.根据权利要求2所述的基于移相全桥的高频隔离双向直流变换器,其特征在于,所述投切控制模块的输入端连接所述变压器模块的副边第一端、第一控制端连接所述谐振单元、第二控制端连接所述二极管导通控制单元。
4.根据权利要求3所述的基于移相全桥的高频隔离双向直流变换器,其特征在于,所述谐振单元包括谐振电容和谐振电感,所述谐振电感的第一端连接所述变压器模块的副边第一端、第二端经所述谐振电容连接所述输出开关网络的第三端。
5.根据权利要求4所述的基于移相全桥的高频隔离双向直流变换器,其特征在于,所述投切控制模块为单刀双掷开关,所述单刀双掷开关的动触头端连接所述变压器模块的副边第一端、第一静触点连接所述第一二极管的阳极和所述第二二极管的阴极、第二静触点连接所述谐振电感的第二端。
6.根据权利要求5所述的基于移相全桥的高频隔离双向直流变换器,其特征在于,所述升压储能滤波模块包括连接在输入电源正极和负极之间的输入滤波电容和连接在所述输入电源正极和所述输入开关网络的第一输入端的电感。
7.根据权利要求6所述的基于移相全桥的高频隔离双向直流变换器,其特征在于,所述升压储能滤波模块进一步包括连接在所述输入开关网络的第一端和第二端之间的吸收单元。
8.根据权利要求7所述的基于移相全桥的高频隔离双向直流变换器,其特征在于,所述输入开关网络和所述输出开关网络包括全桥开关管网络或半桥开关管网络,所述吸收单元包括吸收二极管、吸收电容和吸收电阻,所述吸收二极管的阳极连接所述输入开关网络的第一端、阴极经所述吸收电容连接所述输入开关网络的第二端,所述吸收电阻并联在所述吸收二极管或所述吸收电容两端。
9.根据权利要求8所述的基于移相全桥的高频隔离双向直流变换器,其特征在于,所述开关管为金属-氧化物半导体场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管、电力晶体管、绝缘栅场效应管、门极可关断晶闸管或晶闸管。
10.一种并网储能系统,包括电池模块、DC滤波模块、DC/AC模块、AC滤波模块、继电器、电网模块以及根据权利要求1-9中任意一项所述的基于移相全桥的高频隔离双向直流变换器,所述电池模块经所述基于移相全桥的高频隔离双向直流变换器连接到所述DC滤波模块,所述DC滤波模块进一步依次经DC/AC模块、AC滤波模块、继电器连接电网模块。
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