[发明专利]一种运算放大器有效
申请号: | 201911253419.7 | 申请日: | 2019-12-09 |
公开(公告)号: | CN113037236B | 公开(公告)日: | 2022-10-14 |
发明(设计)人: | 张利地;张海冰 | 申请(专利权)人: | 圣邦微电子(北京)股份有限公司 |
主分类号: | H03F3/45 | 分类号: | H03F3/45;H03F1/34 |
代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡纯;李向英 |
地址: | 100089 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 运算放大器 | ||
1.一种运算放大器,其特征在于,包括:
差分输入电路,包括用于接收第一输入信号和第二输入信号的第一输入端和第二输入端,所述差分输入电路用于根据所述第一输入信号和第二输入信号得到差分电流信号;
共源共栅放大电路,与所述差分输入电路连接以接收所述差分电流信号,所述共源共栅放大电路用于根据所述差分电流信号在输出端提供差分放大信号;以及
相位反转抑制电路,包括比较控制模块和节点电压控制模块,所述比较控制模块用于将所述第一输入信号和所述第二输入信号进行比较,并在二者之间的电压差大于预设电压时提供控制信号,所述节点电压控制模块与所述共源共栅放大电路连接于第一节点,用于根据所述控制信号将所述第一节点的电压拉高,以反馈控制所述差分放大信号,将所述差分放大信号钳位于一恒定电压值。
2.根据权利要求1所述的运算放大器,其特征在于,所述相位反转抑制电路包括第一至第四晶体管、第一电流源以及一电压源,
第一晶体管和第二晶体管构成镜像晶体管,所述第一晶体管和所述第二晶体管的第一端连接至正电源端,
第三晶体管的第一端与所述第一晶体管的第二端连接,第二端与所述电压源的正极连接,所述电压源的负极与所述第一电流源的第一端连接,
第四晶体管的第一端与所述第二晶体管的第二端连接,所述第四晶体管的第二端与所述第一电流源的第一端连接,所述第一电流源的第二端接地,
所述第三晶体管的控制端用于接收所述第一输入信号,所述第四晶体管的控制端用于接收所述第二输入信号,
其中,所述电压源用于提供所述预设电压,所述第一晶体管和所述第三晶体管之间的第二节点与所述节点电压控制模块连接,以提供所述控制信号。
3.根据权利要求2所述的运算放大器,其特征在于,所述节点电压控制模块包括第五晶体管,
其中,所述第五晶体管的第一端与所述正电源端连接,第二端与所述共源共栅放大电路连接于所述第一节点,控制端与所述第二节点连接,
其中,当所述第一输入信号和所述第二输入信号的电压差大于所述预设电压时,所述第五晶体管导通,将所述第一节点的电压拉高。
4.根据权利要求1所述的运算放大器,其特征在于,所述差分输入电路包括第六晶体管和第七晶体管,所述第六晶体管和所述第七晶体管构成差分晶体管对,
其中,所述第六晶体管的控制端与所述第一输入端相连接以接收所述第一输入信号,所述第七晶体管的控制端与所述第二输入端连接以接收所述第二输入信号,
所述第六晶体管和所述第七晶体管的第二端彼此连接以接收偏置电流,
所述第六晶体管和所述第七晶体管的第一端分别用于输出所述差分电流信号。
5.根据权利要求1所述的运算放大器,其特征在于,所述共源共栅放大电路包括:
依次串联连接于正电源端和地之间的第八晶体管、第十晶体管、第十二晶体管和第十四晶体管;以及
依次串联连接于正电源端和地之间的第九晶体管、第十一晶体管、第十三晶体管和第十五晶体管,
其中,所述第八晶体管和所述第九晶体管的控制端彼此连接,并接收第一偏置电压,所述第九晶体管的第二端与所述节点电压控制模块连接于所述第一节点,
所述第十晶体管和所述第十一晶体管的控制端彼此连接,并接收第二偏置电压,
所述第十二晶体管和所述第十三晶体管的控制端彼此连接,并接收第三偏置电压,
所述第十四晶体管和所述第十五晶体管的控制端彼此连接,并连接至所述第十二晶体管的第一端,
所述第八晶体管和所述第九晶体管的第二端分别用于接收所述差分电流信号,所述第十三晶体管的第一端用于提供所述差分放大信号。
6.根据权利要求3所述的运算放大器,其特征在于,所述第一晶体管、所述第二晶体管以及所述第五晶体管分别选自P型的金属氧化物半导体场效应晶体管,
所述第三晶体管和所述第四晶体管分别选自N型的金属氧化物半导体场效应晶体管。
7.根据权利要求4所述的运算放大器,其特征在于,所述第六晶体管和所述第七晶体管分别选自NPN型双极性晶体管。
8.根据权利要求5所述的运算放大器,其特征在于,所述第八晶体管、所述第九晶体管、所述第十晶体管以及所述第十一晶体管分别选自P型的金属氧化物半导体场效应晶体管,
所述第十二晶体管、所述第十三晶体管、所述第十四晶体管以及所述第十五晶体管分别选自N型的金属氧化物半导体场效应晶体管。
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