[发明专利]用于晶体硅铸锭的籽晶层结构与晶体硅锭的制备方法

权利要求书

1.一种用于晶体硅铸锭的籽晶层结构，其特征在于：所述籽晶层结构包括第一籽晶层、设置在所述第一籽晶层外侧的第二籽晶层，所述第一籽晶层包括若干紧密排布的方块籽晶，所述第二籽晶层包括若干贴近所述方块籽晶设置的条状籽晶，所述条状籽晶的顶面的晶向与所述方块籽晶的晶向一致，所述第二籽晶层包括沿背离所述第一籽晶层的方向依次设置的至少两层条状籽晶，所述条状籽晶包括与所述方块籽晶相接的第一条状籽晶、设置在第一条状籽晶背离所述方块籽晶一侧的第二条状籽晶；所述第一条状籽晶沿背离第一籽晶层方向的宽度大于所述第二条状籽晶沿背离第一籽晶层方向的宽度；

所述第二籽晶层还包括对应设置在所述第一籽晶层四个边角位置的边角籽晶，所述边角籽晶位于相邻两条侧框的连接位置，所述边角籽晶呈等腰直角三角形或者呈1/4圆的扇形。

2.根据权利要求1所述的籽晶层结构，其特征在于：至少部分所述方块籽晶具有与另一方块籽晶相接的第一拼接面、朝向所述第二籽晶层的第二拼接面；每一所述第二拼接面均与所述条状籽晶相拼接。

3.根据权利要求1所述的籽晶层结构，其特征在于：所述条状籽晶具有朝向所述第一籽晶层的第一侧面、背离所述第一籽晶层的第二侧面、连接第一侧面与第二侧面的两个端面。

4.根据权利要求1所述的籽晶层结构，其特征在于：所述第一籽晶层设置呈正四边形，若干所述方块籽晶规格一致且呈阵列排布。

5.根据权利要求4所述的籽晶层结构，其特征在于：所述条状籽晶的长度与所述方块籽晶的边长相一致。

6.根据权利要求1所述的籽晶层结构，其特征在于：所述第二籽晶层设置呈矩形框状，且所述第二籽晶层包括四条侧框及设置在相邻所述侧框连接位置的边角籽晶，所述侧框包括首尾依次相接的若干条状籽晶。

7.根据权利要求1所述的籽晶层结构，其特征在于：所述条状籽晶沿背离第一籽晶层方向的宽度设置为5～30mm。

8.根据权利要求1所述的籽晶层结构，其特征在于：所述第二籽晶层包括沿背离所述第一籽晶层的方向依次设置的三层条状籽晶。

9.根据权利要求1所述的籽晶层结构，其特征在于：所述第一籽晶层与第二籽晶层的厚度一致，所述方块籽晶与条状籽晶两者的顶面相互齐平。

10.一种晶体硅锭的制备方法，其特征在于：

将若干方块籽晶紧密排布在坩埚底部的中间位置，得到第一籽晶层；

在第一籽晶层的周边铺设第二籽晶层，所述第二籽晶层包括若干贴近所述方块籽晶设置的条状籽晶；所述条状籽晶的顶面的晶向与所述方块籽晶的晶向一致，所述第二籽晶层包括沿背离所述第一籽晶层的方向依次设置的至少两层条状籽晶，所述条状籽晶包括与所述方块籽晶相接的第一条状籽晶、设置在第一条状籽晶背离所述方块籽晶一侧的第二条状籽晶；所述第一条状籽晶沿背离第一籽晶层方向的宽度大于所述第二条状籽晶沿背离第一籽晶层方向的宽度；

将硅料放入坩埚，加热至硅料熔化，再经定向凝固得到晶体硅锭。

11.根据权利要求10所述的晶体硅锭的制备方法，其特征在于：所述条状籽晶通过方块籽晶切割得到。

12.根据权利要求11所述的晶体硅锭的制备方法，其特征在于：

所述第一籽晶层铺设呈正四边形；

将若干条状籽晶首尾依次相接设置在第一籽晶层的一侧得到侧框，首尾相邻的条状籽晶的接缝与相邻所述方块籽晶的接缝相对应；

在所述第一籽晶层的每一侧均设置侧框。