[发明专利]一种正装集成单元发光二极管

权利要求书

1.一种正装集成单元发光二极管，其特征在于，包括多个二极管单元以及设置于所述二极管单元之间的第一导电类型电极和第二导电类型电极，其中所述第一导电类型电极和所述第二导电类型电极在所述二极管单元之间的间隔区域内重叠设置；

多个所述二极管单元构成二极管台面结构，所述二极管台面结构的尺寸小于电流扩散长度；

相邻两所述二极管单元之间串联以形成高压LED芯片单元，相邻两所述高压LED芯片单元之间相互并联。

2.根据权利要求1所述的正装集成单元发光二极管，其特征在于，每条所述第二导电类型电极下相应地埋一条所述第一导电类型电极，并通过绝缘层隔开。

3.根据权利要求2所述的正装集成单元发光二极管，其特征在于，所述正装集成单元发光二极管包括第一导电类型半导体层、量子阱有源区以及第二导电类型半导体层，所述量子阱有源区位于所述第一导电类型半导体层上，所述第二导电类型半导体层位于所述量子阱有源区上，所述第一导电类型半导体层、量子阱有源区以及第二导电类型半导体层呈台阶状设置，以形成所述二极管单元，所述第一导电类型电极位于所述二极管单元外围的所述第一导电类型半导体层上，所述第二导电类型电极在所述二极管单元的外围与所述第一导电类型电极重叠设置，并由所述绝缘层隔开。

4.根据权利要求3所述的正装集成单元发光二极管，其特征在于，所述正装集成单元发光二极管进一步包括位于所述第二导电类型半导体层上的透明电极，所述第二导电类型电极与所述透明电极接触。

5.根据权利要求4所述的正装集成单元发光二极管，其特征在于，所述绝缘层部分覆盖所述透明电极，所述第二导电类型电极进一步部分覆盖所述透明电极。

6.根据权利要求1所述的正装集成单元发光二极管，其特征在于，所述第一导电类型电极和所述第二导电类型电极分别为n电极和p电极。

7.根据权利要求1所述的正装集成单元发光二极管，其特征在于，所述第一导电类型电极和第二导电类型电极由手指线结构构成。

8.根据权利要求1所述的正装集成单元发光二极管，其特征在于，所述第一导电类型电极和第二导电类型电极采用线条形金属和/或氧化铟锡材料。

9.根据权利要求1所述的正装集成单元发光二极管，其特征在于，所述第一导电类型电极和所述第二导电类型电极分别沿所述正装集成单元发光二极管的长度方向延伸，并所述第一导电类型电极之间以及所述第二导电类型电极之间沿所述正装集成单元发光二极管的宽度方向间隔设置。

10.根据权利要求9所述的正装集成单元发光二极管，其特征在于，所述第一导电类型电极和所述第二导电类型电极为对向延伸的手指线结构。