[发明专利]用于电子设备的带石墨烯散热膜的合金材料及其制备方法

权利要求书

1.用于电子设备的带石墨烯散热膜的合金材料，其特征在于：该合金材料的基底为合金，基底表面包覆有石墨烯薄膜；所述合金是铜合金、铁合金或者铝合金；所述石墨烯薄膜为单层或2~1000层。

2.根据权利要求1所述用于电子设备的带石墨烯散热膜的合金材料，其特征在于：该合金材料应用于电子设备的传热、散热、或换热部件。

3.根据权利要求2所述用于电子设备的带石墨烯散热膜的合金材料，其特征在于：所述基底的形状根据应用需求设计为管状、板状、块状或者粉末状。

4.制备权利要求1或2或3所述合金材料的制备方法，其特征在于：首先将作为基底的合金进行清洗，再用稀盐酸进行化学除杂，清洗吹干；然后，将处理完成的合金置于化学气相沉积反应室中，密封反应室，使用真空泵使化学气相沉积反应室压力降至10Pa以下，再通入氢气和保护气，然后开始加热升温，当温度达到1000℃ ~ 1200℃后，保温1 min ~ 120min，再通入含碳气体和保护气，继续保温1 min ~ 120 min，直至使得含碳气体裂解并在合金表面沉积为石墨烯，然后降温，降温速率为50℃/min ~ 300℃/min，即完成用于电子设备的带石墨烯散热膜的合金材料的制备。

5.根据权利要求1所述用于电子设备的带石墨烯散热膜的合金材料的制备方法，其特征在于：所述合金牌号为BFE30-1-1，B10，B19，BMN3-12，BMN40-1-5，H96，H90，H80，H70，H65，H62，HAL77-2，HAL77-2A，304，316，5052-H112，5083-H112，6061-T651，7050-T7451，7075-T651中的任意一种。

6.根据权利要求4所述用于电子设备的带石墨烯散热膜的合金材料的制备方法，其特征在于：所述稀盐酸的浓度为0.1 mol/L~2 mol/L，化学除杂时间为1 min ~30min。

7.根据权利要求6所述用于电子设备的带石墨烯散热膜的合金材料的制备方法，其特征在于：选择稀盐酸的浓度为0.01 mol/L~1.5 mol/L时，化学除杂时间为5 min ~30 min。

8.根据权利要求4所述用于电子设备的带石墨烯散热膜的合金材料的制备方法，其特征在于：所述清洗时，使用的是丙酮、酒精、异丙醇、水其中的一种或多种任意比例混合的液体，该清洗过程包括冲洗和超声波振动。

9.根据权利要求4所述用于电子设备的带石墨烯散热膜的合金材料的制备方法，其特征在于：所述吹干使用的气体为惰性气体，该惰性气体为氮气或氩气，或者氮气和氩气的混合气。

10.根据权利要求4所述用于电子设备的带石墨烯散热膜的合金材料的制备方法，其特征在于：所述氢气和保护气的比例为1:0~1:30，通入氢气和保护气的流量为： 100 sccm ~1000 sccm；所述保护气均为氩气或氮气。

11.根据权利要求4所述用于电子设备的带石墨烯散热膜的合金材料的制备方法，其特征在于：所述含碳气体和保护气的比例为1:0~1:50，通入含碳气体和保护气的流量为： 0.5sccm ~50 sccm；所述含碳气体为碳原子在1~10区间内的烷烃、烯烃、炔烃和芳烃中的一种或多种任意比例混合；所述保护气均为氩气或氮气。