[发明专利]通量耦合装置以及其磁性结构在审
申请号: | 201911254486.0 | 申请日: | 2013-07-09 |
公开(公告)号: | CN111430125A | 公开(公告)日: | 2020-07-17 |
发明(设计)人: | 格兰特·安东尼·科维克;米克尔·拜平·布迪亚 | 申请(专利权)人: | 奥克兰联合服务有限公司 |
主分类号: | H01F27/28 | 分类号: | H01F27/28;H01F27/36;B60L53/12;H01F38/14;H01F27/38;H01F27/34;H02J50/10 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 郭万方 |
地址: | 新西兰*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 通量 耦合 装置 及其 磁性 结构 | ||
1.一种磁通量耦合器,其包括:
磁导性芯,其具有第一轴,
与所述芯磁性相关联的两个线圈,每一线圈限定位于所述芯的第一侧上的磁极区域,并且所述磁极区域沿所述第一轴分开,
所述线圈各自具有位于所述磁极区域之间的中心区、与所述中心区相对的末端区,和在所述中心区与末端外围之间的侧面区,
其中在每一线圈的所述末端区之外提供辅助磁极区域。
2.根据权利要求1所述的磁通量耦合器,其中所述辅助磁极区域包括所述芯的一部分。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的磁通量耦合器,其中所述辅助磁极区域吸收漏通量,否则所述漏通量将在所述末端区附近从正在使用的所述每一线圈散发。
4.根据权利要求1或权利要求2所述的磁通量耦合器,其中当沿所述第一轴未对准时,所述辅助磁极区域将通量耦合到另一通量耦合器设备。
5.根据以上权利要求中任何一项所述的磁通量耦合器,其中所述辅助磁极区域不延伸超出每一线圈的所述侧面区。
6.根据以上权利要求中任何一项所述的磁通量耦合器,其中所述辅助磁极区域包括邻近于所述末端区的表面。
7.根据权利要求6所述的磁通量耦合器,其中所述表面限定壁、唇缘或凹座中的一个。
8.根据以上权利要求中任何一项所述的磁通量耦合器,其中所述芯包含一个或多个凹座以接收每一线圈的所述末端区。
9.根据权利要求8所述的磁通量耦合器,其中所述一个或多个凹座面朝耦合通量被导引或被接收的区。
10.根据权利要求8所述的磁通量耦合器,其中所述一个或多个凹座面朝所述中心区。
11.根据以上权利要求中任何一项所述的磁通量耦合器,其中所述末端区包括所述线圈的堆叠的匝。
12.根据以上权利要求中任何一项所述的磁通量耦合器,其中所述辅助磁极区域设置成与所述外围区的电流中心成一个角度。
13.根据以上权利要求中任何一项所述的磁通量耦合器,其中所述辅助磁极区域包括多个磁极区域。
14.一种磁通量耦合器,其包括:
线圈,用于产生或拦截磁耦合通量;
磁导性漏通量吸收构件,其位于所述线圈的外围边缘部分之外以便吸收漏通量,否则所述漏通量将在所述外围边缘部分附近从正在使用的所述线圈散发。
15.根据权利要求14所述的磁通量耦合器,其中所述耦合器进一步包括与所述线圈磁性相关联的磁导性芯,并且所述漏通量吸收构件与所述芯相关联。
16.一种包括根据前述权利要求中任何一项所述的磁通量耦合器的感应电力传递系统。
17.一种基本上如本文中参照附图中示出的任何实施例所描述的磁通量耦合器。
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