[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括用于通过非电解镀方法在电极垫上形成镀层的步骤，包括以下步骤：

准备半导体晶片，所述半导体晶片具有半导体衬底、形成在所述半导体衬底上的绝缘层以及形成在所述绝缘层上的所述电极垫；以及

在镀镍溶液中，在以第一速度移动所述半导体晶片之后，通过以第二速度移动所述半导体晶片，在所述电极垫上形成所述镀层，所述第一速度高于所述第二速度，

其中在以所述第一速度移动所述半导体晶片之后，在不将所述半导体晶片从所述镀镍溶液中取出的情况下，以所述第二速度移动所述半导体晶片。

2.根据权利要求1所述的方法，其中沿着所述半导体晶片的主表面往复移动所述半导体晶片。

3.根据权利要求2所述的方法，其中当往复移动所述半导体晶片时，所述半导体晶片的移动范围等于或大于2cm，并且等于或小于4cm。

4.根据权利要求3所述的方法，

其中所述第一速度等于或大于1Hz，并且等于或小于2Hz，并且

其中所述第二速度等于或大于0Hz，并且等于或小于1Hz。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述第二速度等于或大于0.3Hz，并且等于或小于1Hz。

6.根据权利要求1所述的方法，

其中所述镀层包括：

第一镀层，以所述第一速度形成，

第二镀层，以所述第二速度形成并且形成在所述第一镀层之上，以及

第一中间层，形成在所述第一镀层和所述第二镀层之间，并且

其中所述第一中间层中包括的原子的浓度从所述第一镀层向所述第二镀层逐渐增加，所述第一中间层中包括的所述原子是磷原子和硼原子中的一种。

7.根据权利要求1所述的方法，

其中所述镀层包括：

第一镀层，以所述第一速度形成，

第二镀层，以所述第二速度形成并且形成在所述第一镀层之上，以及

第一中间层，形成在所述第一镀层和所述第二镀层之间，并且

其中所述第一镀层中包括的原子的第一浓度低于所述第二镀层中包括的原子的第二浓度，所述第一镀层中包括的所述原子是磷原子和硼原子中的一种，并且所述第二镀层中包括的所述原子是磷原子和硼原子中的一种。

8.根据权利要求7所述的方法，

其中所述第一浓度等于或大于7wt％，并且等于或小于9wt％，并且

其中所述第二浓度大于9wt％，并且等于或小于11wt％。

9.根据权利要求7所述的方法，

其中所述第一浓度与所述第二浓度之间的差异等于或大于2wt％。

10.根据权利要求1所述的方法，

其中所述镀层包括：

第一镀层，以所述第一速度形成，

第二镀层，以所述第二速度形成并且形成在所述第一镀层之上，以及

第一中间层，形成在所述第一镀层和所述第二镀层之间，并且

其中在形成所述第一镀层之前，在所述镀镍溶液中，通过以低于所述第一速度的第三速度移动所述半导体晶片，以在所述电极垫上形成第三镀层，并且

其中在以所述第三速度移动所述半导体晶片之后，在不将所述半导体晶片从所述镀镍溶液中取出的情况下，以所述第一速度移动所述半导体晶片。

11.根据权利要求1所述的方法，

其中所述镀镍溶液包括镍盐和还原剂，并且

其中所述还原剂是次磷酸和次磷酸盐中的一种。

12.根据权利要求1所述的方法，

其中所述镀镍溶液包括镍盐和还原剂，并且

其中所述还原剂是硼氢化钠、二甲胺硼烷和二乙胺硼烷中的一种。