[发明专利]湿法刻蚀机台及湿法刻蚀药液的回收方法在审

专利信息
申请号: 201911255945.7 申请日: 2019-12-10
公开(公告)号: CN111106041A 公开(公告)日: 2020-05-05
发明(设计)人: 樊蓉华;杨谊;王春伟 申请(专利权)人: 上海华力集成电路制造有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/306
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 张彦敏
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 湿法 刻蚀 机台 药液 回收 方法
【说明书】:

发明涉及湿法刻蚀机台及湿法刻蚀药液的回收方法,涉及半导体集成电路制造设备,在可再使用的湿法刻蚀药液回收的过程中,先将可再使用的湿法刻蚀药液回收到预混合腔体中,并在预混合腔体将其温度调整到期望值,避免了传输过程中温度的降低,且在预混合腔体将回收的湿法刻蚀药液与其它药液混合,因此也避免了传输过程中氧气或水蒸气对湿法刻蚀药液的影响,而提高刻蚀速率和稳定性。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造设备,尤其涉及一种湿法刻蚀机台及湿法刻蚀药液的回收方法。

背景技术

在半导体集成电路制造领域,半导体器件作为一种精密度要求很高的产品,在其生产过程中的任何一点误差就会对器件的性能产生影响,这尤其体现在如今集成度越来越高的集成电路器件中。因此,在半导体的生产过程中需要对工艺环节进行严格控制。

湿法刻蚀工艺是半导体制造过程中十分常见的工艺手段,大量存在于如今的半导体制造工艺中。在湿法刻蚀工艺中需要使用湿法刻蚀药液在湿法刻蚀设备中对半导体产品进行湿法刻蚀。其中湿法刻蚀药液的温度和浓度等指标均会影响刻蚀工艺的速率。因此必须严格控制湿法刻蚀设备中使用的湿法刻蚀药液的各项指标。

发明内容

本发明的目的在于提供一种湿法刻蚀机台,以提高刻蚀速率和稳定性。

本发明提供的湿法刻蚀机台,包括:反应腔体,其用于容纳半导体产品,并使半导体产品在其中完成湿法刻蚀工艺;第一流通管路,第一流通管路的第一端连接反应腔体,第一流通管路的第二端连接预混合腔体,用于将从反应腔体输出的可再使用的湿法刻蚀药液回收至预混合腔体中;预混合腔体,接收从反应腔体输出的可再使用的湿法刻蚀药液,将从反应腔体输出的可再使用的湿法刻蚀药液与预混合腔体中的其它药液混合并调整温度至期望值;以及混合腔体,通过第二流通管路接收从预混合腔体输出的湿法刻蚀药液,并通过第三流通管路将湿法刻蚀药液传送至反应腔体,以使半导体产品在反应腔体中完成湿法刻蚀工艺。

更进一步的,所述预混合腔体包括加热装置,通过加热装置调整所述预混合腔体中药液的温度至期望值。

更进一步的,所述期望值为当将预混合腔体中的湿法刻蚀药液通过混合腔体传输至反应腔体内时,湿法刻蚀药液的温度为湿法刻蚀工艺期望的温度。

更进一步的,所述湿法刻蚀药液为CLk-888或TMAH。

更进一步的,所述湿法刻蚀机台为Su3200 Single机台。

本发明还提供一种湿法刻蚀药液的回收方法,包括:将反应腔体中可再使用的湿法刻蚀药液回收至预混合腔体中;在预混合腔体中将从反应腔体接收的可再使用的湿法刻蚀药液与预混合腔体中的其它药液混合并调整温度至期望值;以及将预混合腔体内的湿法刻蚀药液经混合腔体传送至反应腔体,以使半导体产品在反应腔体中完成湿法刻蚀工艺。

更进一步的,所述预混合腔体包括加热装置,通过加热装置调整所述预混合腔体中药液的温度至期望值。

更进一步的,所述期望值为当将预混合腔体中的湿法刻蚀药液通过混合腔体传输至反应腔体内时,湿法刻蚀药液的温度为湿法刻蚀工艺期望的温度。

更进一步的,所述湿法刻蚀药液为CLk-888或TMAH。

本发明提供的湿法刻蚀机台及湿法刻蚀药液的回收方法,在可再使用的湿法刻蚀药液回收的过程中,先将可再使用的湿法刻蚀药液回收到预混合腔体中,并在预混合腔体将其温度调整到期望值,避免了传输过程中温度的降低,且在预混合腔体将回收的湿法刻蚀药液与其它药液混合,因此也避免了传输过程中氧气或水蒸气对湿法刻蚀药液的影响,而提高刻蚀速率和稳定性。

附图说明

图1为现有技术的湿法刻蚀机台的部分部件示意图。

图2为本发明一实施例的湿法刻蚀机台的部分部件示意图。

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