[发明专利]层、多级元件、多级元件制造方法和驱动多级元件的方法在审
| 申请号： | 201911255951.2 | 申请日： | 2018-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN111192914A | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 成明模;金洪范;朴真善;郑进元 | 申请（专利权）人： | 汉阳大学校产学协力团 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L29/12;H01L29/15;H01L29/22;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/51;H01L29/737;H01L29/76;H01L29/786;H01L21/44;H01L21/34;H01L21/768;H01 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多级 元件 制造 方法 驱动 | ||
1.一种层，其特征在于，包括非晶区和被所述非晶区围绕的多个结晶区，其中，通过所述非晶区的多个第一能量状态中的任意第一能量状态和所述结晶区的多个第二能量状态中的任意第二能量状态之间的共振匹配来提供量化的导通状态。
2.根据权利要求1所述的层，其特征在于，每个所述结晶区具有纳米尺寸。
3.根据权利要求1所述的层，其特征在于，所述结晶区表现出量子限制效应。
4.根据权利要求3所述的层，其特征在于，所述结晶区的量子限制效应在三轴方向中呈现。
5.根据权利要求1所述的层，其特征在于，所述量化的导通状态是以比迁移率边更高的电子能量来提供，所述迁移率边是导带中电子能够存在的最低能量状态。
6.根据权利要求1所述的层，其特征在于，所述多个结晶区随机地分布在所述非晶区中，并且二维地排列。
7.根据权利要求1所述的层，其特征在于，所述量化的导通状态存在于预定能量范围内。
8.根据权利要求7所述的层，其特征在于，局域态存在于比所述预定电子能量范围更高的电子能量范围内。
9.根据权利要求8所述的层，其特征在于，导通状态存在于比对应于非导通状态的电子能量范围更高的电子能量范围内。
10.根据权利要求1所述的层，其特征在于，所述第一能量状态的数量大于所述第二能量状态的数量。
11.根据权利要求1所述的层，其特征在于，根据能量状态的密度DOS，所述共振匹配在比迁移率边更高的能量范围内提供若干量化的电子态。
12.根据权利要求1所述的层，其特征在于，根据能量状态的密度DOS，所述共振匹配在比迁移率边更高的能量范围内提供至少两个离散的电子态。
13.根据权利要求1所述的层，其特征在于，所述量化的导通状态允许预定能量范围内的有限载流子运动。
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