[发明专利]垂直存储器装置及用于制造垂直存储器装置的方法

说明书

垂直存储器装置及用于制造垂直存储器装置的方法。一种用于制造垂直存储器装置的方法包括：在第一基板上方形成包括垂直晶闸管和字线的存储器单元阵列；在第二基板形成外围电路单元；将存储器单元阵列与外围电路单元接合；去除第一基板以露出垂直晶闸管的一侧；以及形成联接到垂直晶闸管的一侧和外围电路单元的位线。

技术领域

实施方式的示例总体上涉及半导体装置，并且更具体地，涉及垂直存储器装置及用于制造垂直存储器装置的方法。

背景技术

存储器装置的单位单元包括至少一个晶体管和至少一个数据储存装置。例如，动态随机存取存储器(DRAM)的单位单元使用一个电容器作为数据储存装置。

随着存储器装置的集成度增加，出现了各种技术问题。例如，随着单位单元的面积减小，变得难以确保足够的电容。为了解决这个问题，已经提出了垂直存储器单元。

发明内容

根据实施方式，一种用于制造垂直存储器装置的方法包括：在第一基板上方形成包括垂直晶闸管(thyristor)和字线的存储器单元阵列；形成包括第二基板的外围电路单元；将存储器单元阵列与外围电路单元接合；去除第一基板以露出垂直晶闸管的一侧；以及形成联接到垂直晶闸管的一侧和外围电路单元的位线。

根据另一实施方式，一种垂直存储器装置包括：包括至少一个控制电路的外围电路单元；包括形成在外围电路单元上方的垂直晶闸管、字线和位线的存储器单元阵列；形成于存储器单元阵列和外围电路单元之间的接合结构；以及适于将外围电路单元和存储器单元阵列彼此电连接的导电贯通结构。

附图说明

图1至图4例示了根据实施方式的存储器装置。

图5A至图5C例示了根据变型例的栅极。

图6至图23例示了根据实施方式的制造存储器装置的方法。

图24至图33例示了根据另一实施方式的制造存储器装置的方法。

具体实施方式

下面将参照附图描述实施方式的示例。然而，实施方式可以以不同的形式来实施，并且不应被解释为限于本文阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式使得本公开将是透彻和完整的，并且将范围完全传达给本领域技术人员。在整个公开中，在各个附图和实施方式中，相似的附图标记指代相似的部件。

附图并非必须按比例绘制，并且在某些情况下，可能已经夸大了比例以清楚地例示出实施方式的特征。当第一层被称为在第二层“上”或在基板“上”时，不仅指第一层直接形成在第二层或基板上的情况，而且还指在第一层与第二层或基板之间存在第三层的情况。

以下将描述的实施方式提出了一种可以最小化易失性和功耗并克服集成度的限制的无电容器的1T(1晶体管)动态随机存取存储器(DRAM)。无电容器的1T DRAM可以是基于晶闸管的随机存取存储器(RAM)，该基于晶闸管的随机存取存储器(RAM)包括PNPN结构的晶闸管。通过垂直地形成PNPN结构的晶闸管可以使单元尺寸最小化。

另外，以下实施方式示出了可以基于晶圆接合形成的三端子布线。

实施方式可以涉及高度集成的垂直存储器装置及用于制造垂直存储器装置的方法。

图1至图4例示了根据实施方式的存储器装置。

图1是存储器装置的平面图，并且图2是沿图1所示的线A-A'截取的截面图。图3是沿图1所示的线B-B'截取的截面图，并且图4是例示了单位存储器单元与外围电路单元之间的连接关系的立体图。