[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法在审
| 申请号： | 201911256495.3 | 申请日： | 2019-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN111293065A | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 关口贤治 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;H01L21/67;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理 装置 以及 方法 | ||
本发明提供基板处理装置以及基板处理方法。提供能够提高基板处理的面内均匀性的技术。本公开的基板处理装置具备载置部、供给部、阻挡部以及移动机构。载置部载置基板。供给部对载置于载置部的基板供给处理液。阻挡部包围载置于载置部的基板，阻止供给至基板的处理液自基板流出。移动机构对阻挡部的高度进行变更。
技术领域
本公开涉及基板处理装置以及基板处理方法。
背景技术
以往，公知有一种基板处理方法，通过使半导体晶圆等基板旋转，并且向旋转的基板的中心部供给蚀刻液等处理液，来对基板进行处理(参照专利文献1)。
专利文献1：日本特开2014-187253号公报
发明内容
本公开提供一种能够提高基板处理的面内均匀性的技术。
本公开的一方案的基板处理装置具备载置部、供给部、阻挡部以及移动机构。载置部载置基板。供给部对载置于载置部的基板供给处理液。阻挡部包围载置于载置部的基板，阻止供给至基板的处理液自基板流出。移动机构对阻挡部的高度进行变更。
根据本公开，能够提高基板处理的面内均匀性。
附图说明
图1是表示第1实施方式的基板处理系统的结构的图。
图2是表示第1实施方式的处理单元的结构的图。
图3是表示第1实施方式的阻挡机构的结构的图。
图4是图3所示的IV-IV线剖视图的一例。
图5是表示第1实施方式的基板处理系统所执行的基板处理的步骤的流程图。
图6是第1实施方式的基板处理的动作说明图。
图7是第1实施方式的基板处理的动作说明图。
图8是第1实施方式的基板处理的动作说明图。
图9是第1实施方式的基板处理的动作说明图。
图10是第1实施方式的基板处理的动作说明图。
图11是第1实施方式的基板处理的动作说明图。
图12是表示第2实施方式的基板处理系统所执行的基板处理的步骤的流程图。
图13是对外周部处的膜厚比中心部处的膜厚厚的晶圆进行的局部蚀刻处理的动作说明图。
图14是表示对外周部处的膜厚比中心部处的膜厚厚的晶圆进行的局部蚀刻处理以及由蚀刻处理所产生的膜厚的变化的图。
图15是对中心部处的膜厚比外周部处的膜厚厚的晶圆进行的局部蚀刻处理的动作说明图。
图16是表示对中心部处的膜厚比外周部处的膜厚厚的晶圆进行的局部蚀刻处理以及由蚀刻处理所产生的膜厚的变化的图。
图17是表示第3实施方式的高度调整处理的步骤的流程图。
图18是表示第4实施方式的第1变形例的阻挡机构的结构的图。
图19是表示第4实施方式的第2变形例的阻挡机构的结构的图。
图20是表示第4实施方式的第3变形例的阻挡机构的结构的图。
具体实施方式
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