[发明专利]磁场检测装置和磁场检测方法

说明书

本发明的磁场检测装置具备：磁检测元件，具有沿着第一方向的灵敏度轴；调制部，可以对磁检测元件施加应力，应力包括与第一方向正交的第二方向的分量且以第一频率振动；以及解调部，对来自磁检测元件的第一频率的输出信号进行解调，并且根据输出信号的振幅检测磁检测元件受到的被测定磁场的强度。

技术领域

本发明涉及一种具备磁检测元件的磁场检测装置和使用磁检测元件的磁场检测方法。

背景技术

迄今为止，提出了通过对巨磁电阻效应元件施加交流磁场来对外磁场发挥高检测分辨率的磁电阻效应型传感器(例如参照专利文献1)。另外，提出了具有对磁传感器集中磁通量的构造的MEMS器件(例如参照专利文献2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平11-101861号公报

专利文献2：美国专利第7、915、891号说明书

发明内容

然而，在这样的磁场检测装置中，期望对磁场具有更高的检测分辨率。因此，期望提供一种具有更高的检测分辨率的磁场检测装置。并且，期望提供一种能够用更高的检测分辨率检测磁场的磁场检测方法。

作为本发明的一种实施方式的磁场检测装置，具备：磁检测元件，具有沿着第一方向的灵敏度轴；调制部，可以对磁检测元件施加应力，应力包括与第一方向正交的第二方向的分量且以第一频率振动；以及解调部，对来自磁检测元件的第一频率的输出信号进行解调，并且根据输出信号的振幅检测磁检测元件受到的被测定磁场的强度。

作为本发明的一种实施方式的磁场检测方法，包括：对磁检测元件施加应力，磁检测元件具有沿着第一方向的灵敏度轴，应力包括与第一方向正交的第二方向的分量且以第一频率振动；以及根据来自磁检测元件的第一频率的输出信号的振幅，检测磁检测元件受到的被测定磁场的强度。

附图说明

图1A是表示作为本发明的第一实施方式的磁场检测装置的整体结构例子的概略图。

图1B是图1A所示的磁场检测装置中的调制部的结构例的示意图。

图1C是表示图1B所示的调制部的动作的第一说明图。

图1D是表示图1C所示的调制部的动作的第二说明图。

图2是表示图1A所示的磁场检测装置中的解调部的结构例的方框图。

图3是说明磁检测元件的灵敏度调制的特性图。

图4是表示来自包括通过施加应力进行灵敏度调制的磁检测元件的磁检测部的输出，与施加在磁检测元件上的被测定磁场的关系的特性图。

图5A是表示图2所示的高通滤波器的电路结构例子的电路图。

图5B是表示通过图5A所示的高通滤波器之后的来自磁检测元件的输出信号的波形的一个例子的特性图。

图6A是表示输入图2所示的相位检波电路的参照信号的一个例子的波形图。

图6B是表示通过图2所示的相位检波电路之后的来自磁检测元件的输出信号的波形的一个例子的特性图。

图7是表示通过图2所示的低通滤波器之后的来自磁检测元件的输出信号的波形的一个例子的特性图。

图8是表示通过图2所示的A/D转换电路之后的来自磁检测元件的输出信号的波形的一个例子的特性图。

图9是表示对由图1所示的磁场检测装置测定的被测定磁场的测定值，与由作为参考例的磁场检测装置测定的被测定磁场的测定值进行比较的特性图。