[发明专利]等离子体处理设备及其气体挡板结构、等离子体处理方法

说明书

本申请实施例公开了一种等离子体处理设备的气体挡板结构，第一基板和设置在第一基板第一表面的多个间隔件，第一基板和多个间隔件形成多个气体腔，多个气体腔包括中心腔和环绕中心腔的至少一个环形腔，至少一个环形腔包括至少两个第一气体腔，各第一气体腔分别对应一个第一入气通路，各第一入气通路独立控制，从而使得各第一气体腔对应的第一入气通路中通入的第一气体流量独立控制，进而在刻蚀过程中，可以基于待处理晶圆表面的刻蚀需求和刻蚀情况，单独控制环形腔中的各第一气体腔中通入的气体流量，以调节距离待处理晶圆中心同一距离不同位置处的刻蚀速率，改善待处理晶圆表面距离其中心同一距离不同位置处的刻蚀不均匀现象。

技术领域

本申请涉及等离子体处理技术领域，尤其涉及一种气体挡板结构、等离子体设备及调节刻蚀速率的方法。

背景技术

随着等离子体处理技术的不断发展，使得应用该技术的等离子体处理设备也不断的改进，现已研发出来几种等离子体处理设备，如电容耦合等离子体(即CapacitivelyCoupled Plasma，CCP)处理设备、电感耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma，ICP)处理设备以及电子回旋共振等离子体(Electron Cyclotron Resonance，ECR)处理设备。然而目前的等离子体处理设备在刻蚀过程中，距离待处理晶圆中心同一距离不同位置处经常会出现刻蚀不均匀的问题。

发明内容

为解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种气体挡板结构，以降低等离子体处理设备在刻蚀过程中，提高待处理晶圆表面距离其中心同一距离不同位置处的刻蚀均匀度，改善待处理晶圆表面距离其中心同一距离不同位置处的刻蚀不均匀现象。

为解决上述问题，本申请实施例提供了如下技术方案：

一种等离子体处理设备的气体挡板结构，包括：

第一基板和设置在所述第一基板第一表面的多个间隔件，所述第一基板和所述多个间隔件形成多个气体腔，所述多个气体腔包括中心腔和环绕所述中心腔的至少一个环形腔，所述至少一个环形腔中至少一个环形腔包括至少两个第一气体腔；

其中，所述第一基板中具有贯穿所述第一基板的至少两个第一入气通路，所述第一入气通路与所述第一气体腔一一对应，且与其对应的第一气体腔相连通，所述第一入气通路用于通入第一气体，且各所述第一入气通路独立控制。

可选的，所述至少一个环形腔包括多个环形腔，不同所述环形腔中包括的第一气体腔的数量相同或不同。

可选的，如果不同所述环形腔中包括的第一气体腔的数量不同，所述多个环形腔中至少一个环形腔包括一个第一气体腔。

可选的，如果不同所述环形腔中包括的第一气体腔的数量不同，所述多个环形腔中至少两个环形腔包括多个第一气体腔，且不同所述环形腔中对应的多个第一气体腔的数量不同。

可选的，所述第一基板中还具有贯穿所述第一基板的至少两个第二入气通路，所述第二入气通路与所述第一气体腔一一对应，且与其对应的第一气体腔相连通；其中，所述第二入气通路用于通入所述第二气体，所述第一气体和所述第二气体的成分不同。

可选的，所述第一入气通路具有至少一个第一入气孔，并通过所述第一入气孔与其对应的第一气体腔相连通；

所述第二入气通路具有至少一个第二入气孔，并通过所述第二入气孔与其对应的第一气体腔相连通。

可选的，所述第一入气通路具有至少两个所述第一入气孔，所述第二入气通路具有至少两个所述第二入气孔，所述第一入气孔与所述第二入气孔沿所述环形腔的环形方向间隔排布。

可选的，所述中心腔为一个中心气体腔，所述第一基板中还具有贯穿所述第一基板的第一中心入气通路，所述第一中心入气通路与所述中心气体腔相连通，用于通入第一气体，且所述第一中心入气通路和所述第一入气通路独立控制。