[发明专利]一种用于对纳米银线透明导电膜进行电极图案化的光学结构膜及其图案化方法

说明书

本发明公开了一种用于对纳米银线透明导电膜进行电极图案化的光学结构膜及其图案化方法，是利用具有定位插入结构的光学结构膜与事先转印到OCA光学胶上的纳米银线透明导电膜进行热压合，使高硬度的定位插入结构嵌入到纳米银线导电膜中，实现导电膜的电极图案化，制得所需的导电电极图案。本发明可以有效改善纳米银线透明导电膜的银迁移和蚀刻痕问题，方法简单、可靠度高。

技术领域

本发明属于纳米银线透明导电膜领域，特别涉及一种用于对纳米银线透明导电膜进行电极图案化的光学结构膜及其图案化方法。

背景技术

纳米银线透明导电膜在触控领域的应用日趋成熟，其在应用时需要进行电极图案化处理，然后与光学透明胶贴合成复合膜后，再与液晶显示模组或OLED显示模组贴合制成触控屏。电极图案化的方式主要为激光刻蚀，即利用激光去除电极区与非电极区之间的部分导电膜，从而使电极区与非电极区分离，激光光束直径在25-35μm。因此，经激光刻蚀制得的电极图案线间距通常在25-35μm，这部分区域由于纳米银线的缺失造成雾度、透过率、色度等光学性质与其它区域明显不同，从而造成人眼可明显识别的蚀刻痕。如果将此透明导电膜直接应用在触控屏中，会降低触摸屏的视觉效果。

目前改善蚀刻痕的方法主要是在激光刻蚀后，在被蚀刻掉的非电极区填充含金属氧化物纳米粒子的消影液，使得非电极区和电极区的折射率、雾度、透过率相近以改善蚀刻痕，但是该方法效果有限，且会在非电极区留有金属氧化物纳米粒子，影响可靠性。

此外，通过激光刻蚀进行图案化后，电极区与非电极区之间的银迁移，会导致电极短路等问题，也会影响导电膜的可靠性。

因此，针对目前纳米银线透明导电膜蚀刻痕严重及银迁移的问题，急需开发一种成本低廉、可靠度高、适合工业化生产的方法。

发明内容

针对上述现有技术所存在的问题，本发明提供了一种用于对纳米银线透明导电膜进行电极图案化的光学结构膜及其图案化方法，以期可以有效解决纳米银线透明导电膜蚀刻痕严重的问题以及银迁移的问题。

本发明解决技术问题，采用如下技术方案：

一、光学结构膜

本发明首先公开了一种用于对纳米银线透明导电膜进行电极图案化的光学结构膜，其特点在于：所述光学结构膜是在柔性基底的下表面设置有若干定位插入结构；在对纳米银线透明导电膜进行电极图案化时，以所述定位插入结构直接插入在导电膜电极区与非电极区的交界处，使电极区与非电极区分离，即实现纳米银线透明导电膜的电极图案化。

进一步地，所述柔性基底可为PET、COP或CPI。

进一步地，所述定位插入结构的纵剖面呈倒三角形，倒三角形的结构更利于定位插入结构切断导电膜并插入。

进一步地，所述定位插入结构的高度大于待图案化的纳米银线透明导电膜的厚度，以保证定位插入结构可以将电极区与非电极区完全分离，避免短路。此处的导电膜厚度不含其基底厚底，仅为纳米银线导电层和保护层的厚度。根据目前市场上导电膜的普遍厚度，所述定位插入结构的厚度优选为0.5～10μm。

进一步地，所述定位插入结构横断面的最大宽度为10nm～1μm，当定位插入结构的纵剖面设置为倒三角形时，此处的横断面最大宽度即为定位插入结构底面的宽度。这一尺寸相比于激光刻蚀的激光光束直径显著降低，至纳米级别。

进一步地，各相邻定位插入结构之间的间距与所需电极图案中各电极区与非电极区的尺寸匹配。

进一步地，所述定位插入结构是在柔性基底的表面涂布一层UV硬化液，然后通过纳米压印技术将硬化液制作为所需形状后，再经UV固化而成。所述UV硬化液的各组分按重量份计的构成为：