[发明专利]基于复合介质栅双晶体管光敏探测器的模数转换电路在审

专利信息
申请号: 201911257219.9 申请日: 2019-12-10
公开(公告)号: CN111147078A 公开(公告)日: 2020-05-12
发明(设计)人: 马浩文;王凯;李张南 申请(专利权)人: 南京威派视半导体技术有限公司
主分类号: H03M1/12 分类号: H03M1/12
代理公司: 江苏法德东恒律师事务所 32305 代理人: 李媛媛
地址: 211135 江苏省南京市江宁区麒*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 基于 复合 介质 双晶 光敏 探测器 转换 电路
【权利要求书】:

1.基于复合介质栅双晶体管光敏探测器的模数转换电路,所述复合介质栅双晶体管光敏探测器包括MOS-C部分和MOSFET部分,其特征在于,该模数转换电路包括钳位电路、信号存储电路、信号比较电路、计数电路和缓存电路;所述钳位电路连接复合介质栅双晶体管光敏探测器MOSFET部分的漏端,同时连接信号存储电路,所述信号存储电路再依次连接信号比较电路、计数电路和缓存电路;

所述钳位电路使复合介质栅双晶体管光敏探测器恒压放电,所述信号存储电路记录探测器的放电电荷量;所述信号比较电路用于比较所述信号存储电路电压和外部参考电压的大小,当所述信号存储电路电压小于外部参考电压时,所述计数电路开始工作,当所述信号存储电路电压大于外部参考电压时,所述计数电路停止工作;所述计数电路在所述信号比较电路信号的控制下,根据外部时钟信号进行计数;所述缓存电路在所述计数电路计数结束后,存储所述计数电路的计数值。

2.根据权利要求1所述的基于复合介质栅双晶体管光敏探测器的模数转换电路,其特征在于,所述复合介质栅双晶体管光敏探测器MOS-C部分包括在P型半导体衬底上方依次叠设的第一层介质层、电荷耦合层、第二层介质层和第一控制栅极;所述复合介质栅双晶体管光敏探测器MOSFET部分包括在P型半导体衬底上方依次叠设的第一层介质层、电荷耦合层、第二顶层介质层和第二控制栅极,其中,在MOSFET部分的P型半导体衬底中且靠近第一层介质层的一侧设有N型源极区和N型漏极区,在MOSFET部分的P型半导体衬底中且第一层介质层的下方设有阈值调节注入区。

3.根据权利要求1所述的基于复合介质栅双晶体管光敏探测器的模数转换电路,其特征在于,所述复合介质栅双晶体管光敏探测器MOSFET部分的栅端施加有斜坡信号,且所述信号比较电路端施加有恒定信号;或所述复合介质栅双晶体管光敏探测器MOSFET部分的栅端施加有恒定信号,且所述信号比较电路端施加有斜坡信号。

4.根据权利要求1所述的基于复合介质栅双晶体管光敏探测器的模数转换电路,其特征在于,所述计数电路为向上向下计数器:当复合介质栅双晶体管光敏探测器复位后,所述计数电路设置为向下计数模式;当复合介质栅双晶体管光敏探测器曝光后,所述计数电路设置为向上计数模式。

5.根据权利要求1所述的基于复合介质栅双晶体管光敏探测器的模数转换电路,其特征在于,所述计数电路、缓存电路和复合介质栅双晶体管光敏探测器的数量相同。

6.根据权利要求1所述的基于复合介质栅双晶体管光敏探测器的模数转换电路,其特征在于,所述计数电路的数量小于复合介质栅双晶体管光敏探测器的数量,所述缓存电路的数量和所述复合介质栅双晶体管光敏探测器的数量相同。

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