[发明专利]IGZO纳米线的制备方法、IGZO薄膜晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种IGZO薄膜晶体管，其特征在于，包括衬底、栅电极层、介电层、沟道层、源极以及漏极；所述栅电极层设于所述衬底上，所述介电层设于所述栅电极层表面，所述沟道层设于所述介电层表面；其中，所述沟道层包括若干IGZO纳米线，所述源极和所述漏极互不接触地分别设于所述沟道层的上表面的相对两侧，所述若干IGZO纳米线与经过所述源极和所述漏极之间的直线平行。

2.如权利要求1所述的IGZO薄膜晶体管，其特征在于，所述源极和所述漏极为长条状。

3.如权利要求2所述的IGZO薄膜晶体管，其特征在于，所述源极和所述漏极平行设置，所述IGZO纳米线垂直于所述漏极和所述源极。

4.如权利要求1所述的IGZO薄膜晶体管，其特征在于，所述若干IGZO纳米线层叠设置，所述沟道层的厚度为20-100nm。

5.如权利要求1所述的IGZO薄膜晶体管，其特征在于，所述沟道层与所述介电层之间还设有一层IGZO薄膜。

6.如权利要求1所述的IGZO薄膜晶体管，其特征在于，所述介电层为氧化铝。

7.如权利要求5所述的IGZO薄膜晶体管，其特征在于，所述介电层的厚度为20-50nm。

8.一种IGZO纳米线的制备方法，其特征在于，包括：

采用射频磁控溅射的方式在基板上沉积IGZO薄膜；

在所述IGZO薄膜上形成至少一条钼薄膜条带和一条金薄膜条带，所述钼薄膜条带与所述金薄膜条带交叉，并对所述IGZO薄膜进行退火处理；

将退火后的样品在乙醇超声，并离心分离得到IGZO纳米线。

9.一种IGZO薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成栅电极层，并在栅电极层上形成介电层；

将权利要求8所述的IGZO纳米线分散在乙醇溶液中形成IGZO分散液，采用IGZO分散液在所述介电层表面形成沟道层，其中，所述沟道层包括若干IGZO纳米线，若干IGZO纳米线的方向一致；

在所述沟道层上形成源极和漏极，所述若干IGZO纳米线与经过所述源极和所述漏极之间的直线平行。

10.如权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述采用IGZO分散液在所述介电层表面形成沟道层包括：

采用微流体沟道固定在所述介电层表面；

将所述IGZO纳米线分散液从所述微流体沟道的进口流入，并从所述微流体沟道的出口流出，使所述IGZO纳米线沿流动方向形成平行的阵列。