[发明专利]APD电压的调整方法、装置、存储介质及ONU设备

说明书

本发明公开了一种APD电压的调整方法，包括：根据标准温度、温度特性参数及标准温度下的APD击穿电压，通过预设的线性法计算得到所述预设的温度与APD电压的线性关系式；根据所述温度与APD电压的线性关系式及当前的温度值获得当前温度下的偏置电压；判断所述偏置电压是否满足预设的接收灵敏度良好条件；响应于所述偏置电压不满足预设的接收灵敏度良好条件，则调整所述线性关系式中的参数，以调整所述线性关系式。本发明实施例还提供了APD电压的调整装置、存储介质及ONU设备，有效解决现有技术由于APD设置不合理，使得无法保证不同温度下的ONU设备接收灵敏度，且无法批量操作的问题。

技术领域

本发明涉及光学通信技术领域，尤其涉及一种APD电压的调整方法、装置、存储介质及ONU设备。

背景技术

在PON(无源光网络)接入技术中，ONU(光网络单元)的发射以及接收性能都有着严格的要求，而决定ONU设备接收性能的器件主要为光电二极管。目前常用的光电二极管有PIN光电二极管和APD雪崩二极管。对于接收性能要求高(接收等级Class C+)的通信系统均采用APD方案，具有内部增益功能，是光电二极管与电信号放大器的集成器件。APD对光信号的放大能力用倍增因子M表示，定义为输出电流与输入光电流的比值。则倍增因子M可以表示为：

式中，Vbr为APD击穿电压，V为APD上的反向偏置电压；n是器件材料、掺杂浓度以及光波长有关，一般取1～3。当反向偏置电压远小于Vbr时，倍增因子M很小；当偏置电压靠近Vbr时，光电流变化非常大，M很大。

雪崩二极管工作在反向偏置电压下。在一定温度下，偏置电压增加，产生的光电子空穴越多，倍增因子M越大。由于APD本身会受到温度影响，当温度变化时，APD的Vbr会相应变化，当温度升高时，Vbr也会变大。因此APD的放大增益与反向偏置电压V以及APD工作温度T相关。

在ONU设备中，APD是集成在BOSA光组件中，由于BOSA器件的空间很小没有温度传感器，因此APD的温度是靠ONU中光芯片中的传感器来获取的。通过测量APD与光芯片的温度差,通过补偿该温度差来间接获取APD的工作温度。在不同的温度下，对应不同的Vbr，将Vbr-3设置为APD的反向偏置电压则ONU设备可以表现很好的接收灵敏度。由于ONU设备需要工作在不同的温度下，APD工作电压需要随温度变化进行调整。ONU设备中光芯片通过其温度传感器获取芯片的温度，通过温度差得到APD温度，然后控制APD升压电路，从而使APD工作在对应的偏置电压V下。由于APD的击穿电压与工作温度T的关系不是简单的线性关系，因此根据温度来设定APD工作电压的方式常见的有两种：

第一种方法——查表法，不同的ONU设备均需要建立一张电压/温度表，数据采集量大，对于大量ONU设备来说工作量巨大，不适合批量化操作。

第二种方法——线性法，不同的ONU设备只需要测量一个点的值，即可得到整段的关系式，操作起来方便。但是由于只准确获取一个点的值，其余温度的值是通过线性关系获取，首先斜率是生产厂商提供与实际器件性能有一定差异，其次温度与Vbr的关系也不是绝对的线性关系，因此这两个因素使得该方法并不准确可靠，同时如果设置不合理将会引起在一些温度下的接收灵敏度恶化。

发明内容

本发明实施例提供一种APD电压的调整方法、装置、存储介质及ONU设备，能有效解决现有技术由于APD设置不合理，使得无法保证不同温度下的ONU设备接收灵敏度，且无法批量操作的问题。

本发明一实施例提供一种APD电压的调整方法，包括：

根据标准温度、温度特性参数及标准温度下的APD击穿电压，通过预设的线性法计算得到所述预设的温度与APD电压的线性关系式；

根据所述温度与APD电压的线性关系式及当前的温度值获得当前温度下的偏置电压；