[发明专利]一种存储设备及其控制装置和控制方法

说明书

本发明实施例公开了一种存储设备及其控制装置和控制方法，存储设备还包括多个存储单元，控制装置包括：执行模块，执行模块用于执行第一操作并于第一操作阶段时，产生第一时钟控制信号；时钟模块，时钟模块用于根据第一时钟控制信号将时钟频率切换为小于预设时钟频率的第一时钟频率。本发明实施例中，时钟频率越高，时钟功耗越大，时钟模块的时钟频率并非固定不变，而是在第一操作阶段降低时钟频率，使得第一操作阶段的时钟功耗降低，相应的减少了时钟计数器的使用次数，提高了时钟工作灵活性，改善了操作阶段功耗过大的问题。

技术领域

本发明实施例涉及存储技术，尤其涉及一种存储设备及其控制装置和控制方法。

背景技术

Nand flash存储器是闪存的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。

Nand flash内部设置有时钟，该时钟用于记录读写擦操作的时间，以此可得到读写擦速度。目前，Nand flash在执行擦除操作时，由于擦除阶段时间较长，整个擦除过程中内部时钟不停的翻转，功耗较大。

发明内容

本发明实施例提供一种存储设备及其控制装置和控制方法，以降低时钟功耗。

本发明实施例提供了一种存储设备的控制装置，所述存储设备还包括多个存储单元，所述控制装置包括：

执行模块，所述执行模块用于执行第一操作并于第一操作阶段时，产生第一时钟控制信号；

时钟模块，所述时钟模块用于根据所述第一时钟控制信号将时钟频率切换为小于预设时钟频率的第一时钟频率。

进一步的，所述执行模块还用于执行所述第一操作并于第一操作校验阶段时，产生第二时钟控制信号以使所述时钟模块切换为所述预设时钟频率。

进一步的，所述预设时钟频率是所述第一时钟频率的n倍，n为正整数。

进一步的，n＝2或4。

进一步的，所述第一操作为擦除操作，所述第一操作阶段为擦除阶段；或者，所述第一操作为编程操作，所述第一操作阶段为编程阶段。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种存储设备的控制方法，所述存储设备还包括多个存储单元，所述控制方法包括：

执行第一操作并于第一操作阶段时，产生第一时钟控制信号；

根据所述第一时钟控制信号，将时钟频率切换为小于预设时钟频率的第一时钟频率。

进一步的，控制方法还包括：于第一操作校验阶段时，产生第二时钟控制信号；

根据所述第二时钟控制信号，将时钟频率切换为所述预设时钟频率。

进一步的，所述预设时钟频率是所述第一时钟频率的n倍，n为正整数。

进一步的，n＝2或4。

进一步的，所述第一操作为擦除操作，所述第一操作阶段为擦除阶段；或者，所述第一操作为编程操作，所述第一操作阶段为编程阶段。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种存储设备，包括：

一个或多个处理器；

存储模块，用于存储一个或多个程序；

当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行，使得所述一个或多个处理器实现如上所述的存储设备的控制方法。