[发明专利]一种增强型碳化硅MOSFET器件及其制造方法

权利要求书

1.一种增强型碳化硅MOSFET器件，其特征在于，包括：

N-外延层，所述N-外延层上表面包括在水平方向上平行间隔排列的若干个P型体区，所述P型体区在所述N-外延层上表面向下形成，所述P型体区包括第一离子，所述若干个P型体区之间通过肖特基势垒金属层相连接；

至少三个所述P型体区上表面的中央区域包括N+源极，所述N+源极在P型体区上表面中央区域向下形成，所述N+源极包括第二离子；

所述N+源极的中央区域下方设有槽，所述槽的深度深于所述P型体区但不与N+型重掺杂SiC衬底接触；所述槽包括栅底P区，所述栅底P区设置在所述槽底部，所述栅底P区包括第三离子；

所述槽还包括多晶硅栅极，所述多晶硅栅极充满整个槽；所述N-外延层和所述槽还包括栅氧化层，所述栅氧化层生长在所述槽内壁；

所述P型体区上表面所述N+源极外侧还包括P型体区接触层，所述P型体区接触层在P型体区上表面向下设置形成，所述P型体区接触层包括第四离子；

所述P型体区还包括P+埋层，所述P+埋层设置在所述P型体区的中央位置并在所述槽外侧，所述P+埋层包括第五离子；所述N+源极、所述P型体区接触层和所述肖特基势垒金属层上方设置有欧姆接触金属层。

2.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述器件自上而下依次为：

背面金属，所述背面金属由金属Ti、金属Ni以及金属Ag组合形成；N+型重掺杂SiC衬底；所述N-外延层；绝缘介质层，所述绝缘介质层是由SiO₂组成；所述绝缘介质层设置在所述多晶硅栅极上方和所述P型体区接触层上方；

正面金属，所述正面金属由Al组成，厚度为1-5μm。

3.如权利要求2所述的器件，其特征在于，所述碳化硅衬底所用碳化硅单晶体材料可以是2H-SiC单晶体、4H-SiC单晶体的其中一种，所述N+型重掺杂SiC衬底的掺杂浓度为3×10¹⁹-3×10²⁰个离子/CM³。

4.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述N-外延层的掺杂浓度在1×10¹⁵-1×10¹⁶个离子/CM³之间，厚度为10-30μm，掺杂杂质为氮元素。

5.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述P型体区的深度为1-3μm，所述第一离子为硼离子，所述N+源极的深度为0.2-0.8μm，所述第二离子为磷离子。

6.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第三离子、第四离子、第五离子为硼离子。

7.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述多晶硅的掺杂浓度大于1×10²⁰个离子/CM³。

8.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述栅氧化层的厚度为0.04-0.1μm。

9.如权利要求2所述的器件，其特征在于，所述绝缘介质层的厚度为所述肖特基势垒金属层为TiMo或TiW，所述肖特基势垒金属层的厚度为所述欧姆接触金属层的厚度为