[发明专利]一种超薄硅单晶切片热处理强化工艺在审
| 申请号： | 201911259122.1 | 申请日： | 2019-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN110965127A | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 陶术鹤;李聪;李志远;张伟才 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 李美英 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 硅单晶 切片 热处理 强化 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种超薄硅单晶切片热处理强化工艺，超薄硅单晶切片的厚度为200μm—300μm，其特征在于，步骤如下：
步骤一，将超薄硅单晶切片放入石英舟中，然后将石英舟送入热处理炉中的恒温区域；
步骤二，设定热处理炉的加热程序，升温速率为15℃/min，恒温温度为650℃±20℃，恒温时间为1小时；
步骤三，恒温处理1小时后，将硅片随炉冷却至室温后取出。
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