[发明专利]一种三维存储器及其制备方法、一种光刻掩膜版

权利要求书

1.一种三维存储器，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上的堆叠结构，

所述堆叠结构包括沿所述衬底平面方向上间隔排布的若干存储单元区；

填充在所述存储单元区之间的填充材料层；

其中，所述堆叠结构还包括分布在至少两相邻存储单元区之间的应力缓冲区，所述填充材料层在所述至少两相邻存储单元区之间被所述应力缓冲区间隔；

所述堆叠结构包括若干交替排列的第一材料层以及第二材料层。

2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述应力缓冲区与最邻近的存储单元区之间的距离范围为5μm -20μm。

3.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，在所述至少两相邻存储单元区之间分布有两个应力缓冲区，所述两个应力缓冲区分别邻近所述两相邻存储单元区的彼此相邻的侧壁分布，以使所述应力缓冲区与最邻近的存储单元区之间的距离小于所述两个应力缓冲区之间的距离。

4.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述应力缓冲区沿平行于所述两相邻存储单元区的彼此相邻的侧壁的方向延伸，所述应力缓冲区的长度与所述存储单元区的所述侧壁的长度相等。

5.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述填充材料层包括正硅酸乙酯层。

6.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供衬底，在所述衬底上形成堆叠层；所述堆叠层包括若干交替排列的第一材料层以及第二材料层；

刻蚀所述堆叠层，以将所述堆叠层划分为沿所述衬底平面方向上间隔排布的若干存储单元区，以及分布在至少两相邻存储单元区之间的应力缓冲区；

在所述存储单元区之间填充形成填充材料层，所述填充材料层在所述至少两相邻存储单元区之间被所述应力缓冲区间隔。

7.根据权利要求6所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，在刻蚀所述堆叠层的步骤中，形成所述三维存储器的台阶区。

8.根据权利要求6所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，所述应力缓冲区与最邻近的存储单元区之间的距离范围为5μm -20μm。

9.根据权利要求6所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，在所述至少两相邻存储单元区之间分布有两个应力缓冲区，所述两个应力缓冲区分别邻近所述两相邻存储单元区的彼此相邻的侧壁分布，以使所述应力缓冲区与最邻近的存储单元区之间的距离小于所述两个应力缓冲区之间的距离。

10.根据权利要求6所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，所述应力缓冲区沿平行于所述两相邻存储单元区的彼此相邻的侧壁的方向延伸，所述应力缓冲区的长度与所述存储单元区的所述侧壁的长度相等。

11.根据权利要求6所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，所述填充形成填充材料层，包括：在所述存储单元区以及所述应力缓冲区之间填充正硅酸乙酯，以形成所述填充材料层。

12.一种光刻掩膜版，用于刻蚀形成三维存储器的堆叠结构的工艺中，所述堆叠结构包括间隔排布的若干存储单元区和分布在至少两相邻存储单元区之间的应力缓冲区，所述光刻掩膜版包括：

间隔排布的若干第一图案区，所述第一图案区对应于所述三维存储器的存储单元区；

位于至少两相邻第一图案区之间的第二图案区，所述第二图案区对应于所述应力缓冲区。

13.根据权利要求12所述的光刻掩膜版，其特征在于，所述第二图案区与最邻近的第一图案区之间的距离范围为5μm -20μm。