[发明专利]高峰值功率1550nm激光二极管芯片及制备方法

权利要求书

1.一种高峰值功率1550nm激光二极管芯片_，其特征在于，包括：多个PN结(1)、高掺杂电阻区(2)和N型衬底(3)；

所述多个PN结(1)从下到上依次叠加；任意相邻两个PN结(1)通过所述高掺杂电阻区(2)连接；

所述N型衬底(3)位于最低层PN结(1)的下方。

2.如权利要求1所述的一种高峰值功率1550nm激光二极管芯片，其特征在于，所述PN结(1)包括：N型波导层(11)、发光区(12)、P型波导层(13)；

所述发光区(12)位于所述N型波导层(11)和P型波导层(13)之间。

3.如权利要求1所述的一种高峰值功率1550nm激光二极管芯片，其特征在于，所述高掺杂电阻区(2)由N型高掺杂区(21)和P型高掺杂区(22)组成；所述N型高掺杂区(21)位于P型高掺杂区(22)的上方；

所述高掺杂电阻区(2)的总厚度范围为15nm±2nm。

4.如权利要求3所述的一种高峰值功率1550nm激光二极管芯片，其特征在于，所述N型高掺杂区(21)中的InP掺杂浓度范围为4.5×10²⁰cm^-3至6.5×10²⁰cm^-3，其厚度范围为10-12nm。

5.如权利要求4所述的一种高峰值功率1550nm激光二极管芯片，其特征在于，所述P型高掺杂区(22)中的InP掺杂浓度范围为7.5×10¹⁸cm^-3至8.5×10¹⁸cm^-3，其厚度范围为3-5nm。

6.一种高峰值功率1550nm激光二极管芯片的制备方法，其特征在于，包括：

S1、在N型衬底上从下至上依次生长N型波导层、发光区、P型波导层，完成第一个PN结的生长；

S2、在所述P型波导层上级联生长高掺杂电阻区；

S3、在所述高掺杂电阻区的上方从下至上依次生长N型波导层、发光区、P型波导层，完成下一个PN结的生长；

S4、依次重复步骤S2和S3，直至完成多个PN结的生长。