[发明专利]压电薄膜谐振器在审
| 申请号： | 201911259270.3 | 申请日： | 2019-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN111327294A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 高庸熏;金德桓;朴钟贤 | 申请（专利权）人： | 天津威盛株式会社 |
| 主分类号： | H03H9/17 | 分类号： | H03H9/17;H03H3/02 |
| 代理公司： | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人： | 陈国军 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 压电 薄膜 谐振器 | ||
1.一种压电薄膜谐振器，其特征在于，包括：
基板；
下部电极，配置在上述基板上；
压电层；配置在上述下部电极上；以及，
上部电极，配置在上述压电层上；
其中，在上述上部电极的上侧面形成围绕谐振区域的凹凸图案。
2.根据权利要求1所述的压电薄膜谐振器，其特征在于：
上述凹凸图案，包括：
多个第1图案，以环形形状沿着上述谐振区域的周围形成。
3.根据权利要求2所述的压电薄膜谐振器，其特征在于：
上述压电薄膜谐振器的谐振频率根据上述多个环形形状图案的厚度或间隔而互不相同。
4.根据权利要求1所述的压电薄膜谐振器，其特征在于：
上述凹凸图案，包括：
多个第2图案，以岛屿形状沿着上述谐振区域的周围形成。
5.根据权利要求4所述的压电薄膜谐振器，其特征在于：
上述凹凸图案，还包括：
环形形状图案，围绕上述多个岛屿形状的第2图案形成。
6.根据权利要求4所述的压电薄膜谐振器，其特征在于：
上述压电薄膜谐振器的谐振频率根据上述第2图案的多个岛屿形状图案的大小或密度而互不相同。
7.根据权利要求1所述的压电薄膜谐振器，其特征在于：
上述凹凸图案的垂直方向高度与上述上部电极的垂直方向高度的比例为1:20至3:10。
8.根据权利要求1至权利要求7所述的压电薄膜谐振器，其特征在于：
上述凹凸图案，
沿着上述谐振区域的周围形成的最外廓图案的垂直方向高度高于在上述谐振区域的内侧形成的图案的垂直方向高度。
9.根据权利要求1所述的压电薄膜谐振器，其特征在于，还包括：
保护层，配置在上述上部电极上，对形成上述凹凸图案的区域进行覆盖。
10.根据权利要求1所述的压电薄膜谐振器，其特征在于，还包括：
种晶层，配置在上述下部电极与上述基板之间。
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