[发明专利]横向双扩散晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201911259455.4 | 申请日： | 2019-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN111092123A | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 陆阳;韩广涛;葛薇薇 | 申请（专利权）人： | 杰华特微电子（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;高青 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 晶体管 及其 制造 方法 | ||
1.一种横向双扩散晶体管，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底顶部的阱区、漂移区和分别位于所述阱区和所述漂移区中的源区和漏区；
位于所述漂移区表面的第一介质层；
位于所述漂移区表面且覆盖所述第一介质层的第一部分表面的第一场板；
部分覆盖所述第一场板表面并堆叠在所述第一介质层的第二部分表面上的第二介质层；以及
位于所述第二介质层表面上的第二场板，
其中，所述第二场板包括至少一个接触通道。
2.根据权利要求1所述的横向双扩散晶体管，其特征在于，所述第二介质层为金属硅化物阻挡层，以使被所述金属硅化物阻挡层覆盖的区域不能形成金属硅化物。
3.根据权利要求2所述的横向双扩散晶体管，其特征在于，所述金属硅化物阻挡层为氧化层。
4.根据权利要求1所述的横向双扩散晶体管，其特征在于，所述接触通道为沿垂直于所述第二介质层的表面方向延伸的通孔内填充的金属塞。
5.根据权利要求1所述的横向双扩散晶体管，其特征在于，所述第二场板包括多个接触通道，多个所述接触通道沿从所述源区至所述漏区的延伸方向排成一列。
6.一种横向双扩散晶体管制造方法，其特征在于，包括：
在所述衬底顶部形成阱区、漂移区和分别位于所述阱区和所述漂移区中的源区和漏区；
在所述漂移区表面形成第一介质层；
形成位于所述漂移区表面且覆盖所述第一介质层的第一部分表面的第一场板；
形成部分覆盖所述第一场板表面并堆叠在所述第一介质层的第二部分表面上的第二介质层；以及
形成位于所述第二介质层表面上的第二场板，
其中，所述第二场板包括至少一个接触通道。
7.根据权利要求6所述的横向双扩散晶体管制造方法，其特征在于，所述第二介质层为金属硅化物阻挡层，以使被所述金属硅化物阻挡层覆盖的区域不能形成金属硅化物。
8.根据权利要求7所述的横向双扩散晶体管制造方法，其特征在于，所述金属硅化物阻挡层为氧化层。
9.根据权利要求6所述的横向双扩散晶体管制造方法，其特征在于，所述接触通道为沿垂直于所述第二介质层的表面方向延伸的通孔内填充的金属塞。
10.根据权利要求6所述的横向双扩散晶体管制造方法，其特征在于，所述第二场板包括多个接触通道，多个所述接触通道沿从所述源区至所述漏区的延伸方向排成一列。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杰华特微电子（杭州）有限公司，未经杰华特微电子（杭州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911259455.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
