[发明专利]检测装置及工艺腔室检测方法

说明书

一种检测装置，用于对晶圆进行工艺处理的处理设备的工艺腔室进行检测，检测装置包括承载件及感测器组件，感测器组件形成在承载件上，在检测时段内，感测器组件被传送至工艺腔室内并对工艺腔室进行检测，检测时段包括承载件处于工艺腔室内的时间，检测结果表征工艺腔室的状态，感测器组件包括至少一图像感测器及温度感测器，图像感测器及温度感测器分别位于承载件两个相背离的表面上。本发明的检测装置能够及时使技术人员掌握所述工艺腔室的状态，简化检测流程，降低所述处理设备的维护成本。本发明还提供一种工艺腔室检测方法。

技术领域

本发明涉及半导体领域，具体涉及一种检测装置及工艺腔室检测方法。

背景技术

颗粒污染是处理设备对晶圆进行工艺处理过程中的一个主要关心的问题。这种污染通常发生在由处理设备处理晶圆的一或更多个运行期间。举例而言，处理设备可包括至少一个腔室及设备前后端模块，这之中的任一者的致动或运行可以产生金属或非金属颗粒，诸如铝、不锈钢、锆、或可能导致污染的其他颗粒。这些污染颗粒部分会掉落在晶圆上，部分会沉积于处理设备内。当处理设备内沉积过多的污染颗粒后，可能会发生异常，造成被处理的晶圆加工不良。尤其是，实际应用中发现，处理设备的工艺腔室最易沉积污染颗粒。

因此，所述处理设备需要定期维护。然而，所述处理设备的大部分腔室或模块在运行过程中是处于真空状态或充满处理气体，其气体环境与大气环境不一致。如果要维护这些腔室或模块，则首先需要将腔室内转换至大气环境，然后开启腔室，并检测腔室是否处于污染颗粒过多等不适合处理晶圆的状态，从而清理或排除不良因素。可见，维护所述处理设备的流程较长，成本较高。并且，除非已经处理出不合格的晶圆，所述处理设备在检测之前是否处于不佳的状态，技术人员并不清楚。

发明内容

鉴于此，本发明提供一种解决上述问题的检测装置及工艺腔室检测方法。

一种检测装置，用于对晶圆进行工艺处理的处理设备的工艺腔室进行检测，所述检测装置包括承载件及感测器组件，所述感测器组件形成在所述承载件上，在检测时段内，所述感测器组件被传送至所述工艺腔室内并对所述工艺腔室进行检测，所述检测时段包括所述承载件处于所述工艺腔室内的时间，所述检测结果表征所述工艺腔室的状态，所述感测器组件包括至少一图像感测器及至少一温度感测器，所述图像感测器及所述温度感测器分别位于所述承载件两个相背离的表面上。

一种工艺腔室检测方法，用于检测处理设备的工艺腔室的状态，所述检测方法利用包括承载件及感测器组件的检测装置进行检测，所述感测器组件形成在所述承载件上，所述工艺腔室检测方法包括以下步骤：

传送步骤：提供所述检测装置，并将所述检测装置传送至所述处理设备的所述工艺腔室内；

感测步骤：利用所述感测器组件对所述工艺腔室进行检测，所述检测结果表征所述工艺腔室的状态。

相较于现有技术，本发明提供的检测装置不需要将所述工艺腔室恢复至大气压并开启之后进行检测，所述检测装置在检测时段内被传送进工艺腔室对所述工艺腔室进行检测，并且至少可获取所述工艺腔室的图像及温度，表征所述工艺腔室的状态，以提供分析所述工艺腔室是否需要维护，能够使技术人员及时掌握所述工艺腔室的状态，简化检测流程，降低所述处理设备的维护成本。

附图说明

图1是本发明一实施例的检测装置的立体示意图。

图2是图1所示的检测装置的另一角度的立体示意图。

图3是图1所示的检测装置的应用的处理设备的立体示意图。

图4是所述检测装置位于图3所示的处理设备的工艺腔室的剖视示意图。

图5是本发明一实施例的工艺腔室检测方法的流程图。

主要元件符号说明