[发明专利]TDDB测试结构、TDDB测试系统及其测试方法在审
| 申请号： | 201911259658.3 | 申请日： | 2019-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN113049921A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 蒋昊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/12 | 分类号： | G01R31/12;G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | tddb 测试 结构 系统 及其 方法 | ||
1.一种TDDB测试结构，其特征在于，包括：
在电压源和地端之间并联连接的多个测试单元，其中，所述多个测试单元的每一个包括：
连接至所述地端的电介质测试样本，以及
连接在所述电介质测试样本和所述电压源之间的控制模块，所述控制模块在使能信号下导通，在所述电介质测试样本击穿时关断。
2.如权利要求1所述的TDDB测试结构，其特征在于，所述电介质测试样本为电容器，所述电容器包括电介质。
3.如权利要求1所述的TDDB测试结构，其特征在于，所述控制模块包括：
MOS晶体管，所述MOS晶体管包括用于加载使能信号的栅极、漏极以及连接至所述电介质测试样本的源极；
连接在所述漏极与所述电压源之间的电阻器；
连接在所述栅极与所述源极之间的延时单元，所述延时单元的输入端与所述源极连接，输出端与所述栅极连接。
4.如权利要求3所述的TDDB测试结构，其特征在于，所述延时单元是由偶数个反相器组成。
5.如权利要求4所述的TDDB测试结构，其特征在于，所述偶数个反相器串联连接。
6.如权利要求1所述的TDDB测试结构，其特征在于，所述电介质测试样本为N型测试样本，所述电压源用于提供正电压；
或者，所述电介质测试样本为P型测试样本，所述电压源用于提供负电压。
7.如权利要求1所述的TDDB测试结构，其特征在于，所述多个测试单元的每个所述控制模块加载同一使能信号。
8.一种TDDB测试系统，其特征在于，包括：
权利要求1～7任一项权利要求所述的测试结构；
与所述测试结构相连的电压源；
向所述控制模块提供使能信号的使能信号源；以及
连接在所述电压源和所述控制模块之间的检测设备，所述检测设备用于获得电压源和所述控制模块之间的电流-时间曲线。
9.如权利要求8所述的测试系统，其特征在于，所述检测设备是示波器。
10.一种TDDB测试方法，其特征在于，包括：
提供如权利要求8或9所述测试系统；
向所述控制模块加载使能信号，使控制模块导通；
通过测试系统测量电压源和所述控制模块之间的电流-时间曲线；
根据电流增大时刻获得所述多个测试单元对应的多个击穿时间。
11.如权利要求10所述的TDDB测试方法，其特征在于，还包括：根据所述多个击穿时间，获得电介质测试样本中电介质的寿命。
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