[发明专利]掩膜版以及半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种掩膜版，其特征在于，包括：

第一掩膜版，包括主图形、以及位于所述主图形中的反相辅助图形；

第二掩膜版，与所述第一掩膜版相配合，包括补偿图形，所述补偿图形的透光特性与所述反相辅助图形的透光特性相反，所述补偿图形在第一掩膜版上的投影覆盖所述反相辅助图形且位于所述主图形中。

2.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述反相辅助图形为长条形结构，所述反相辅助图形的长边至主图形同一侧对应的边缘的距离大于或等于15nm。

3.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述反相辅助图形为长条形结构，所述反相辅助图形的长度大于或等于40nm，所述反相辅助图形的短边至主图形同一侧对应的边缘的距离大于或等于15nm。

4.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述补偿图形的长边在第一掩膜版上的投影至所述反相辅助图形同一侧的长边的距离为2nm至5nm。

5.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述反相辅助图形为可显影的图形。

6.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述反相辅助图形的宽度大于或等于15nm。

7.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述主图形为遮光图形，所述反相辅助图形为透光图形，所述补偿图形为遮光图形。

8.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述主图形为透光图形，所述反相辅助图形为遮光图形，所述补偿图形为透光图形。

9.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成硬掩膜材料层；

采用如权利要求1至8任一项所述掩膜版中的第一掩膜版，在所述硬掩膜材料层上形成第一图形层；

以所述第一图形层为掩膜，图形化所述硬掩膜材料层；

采用如权利要求1至8任一项所述掩膜版中的第二掩膜版，在所述硬掩膜材料层上形成第二图形层；

以所述第二图形层为掩膜，图形化所述硬掩膜材料层；

在以所述第一图形层为掩膜，图形化所述硬掩膜材料层，以及以所述第二图形层为掩膜，图形化所述硬掩膜材料层后，剩余的硬掩膜材料层作为硬掩膜层；

以所述硬掩膜层为掩膜，图形化所述基底，形成目标图形。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述硬掩膜材料层的步骤包括：在所述基底上形成底部硬掩膜材料层；

在所述底部硬掩膜材料层上形成顶部硬掩膜材料层。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，以所述第一图形层为掩膜，图形化所述硬掩膜材料层的步骤包括：以所述第一图形层为掩膜，图形化所述顶部硬掩膜材料层，形成第一硬掩膜层，所述第一硬掩膜层中形成有与所述反相辅助图形相对应的初始图形；

在以所述第一图形层为掩膜，图形化所述顶部硬掩膜材料层后，在所述底部硬掩膜材料层上形成所述第二图形层，所述第二图形层覆盖所述初始图形；

以所述第二图形层为掩膜，图形化所述硬掩膜材料层的步骤包括：以所述第二图形层和第一硬掩膜层为掩膜，图形化所述底部硬掩膜材料层，形成第二硬掩膜层，所述第二硬掩膜层用于作为所述硬掩膜层。