[发明专利]一种具有钳位功能的自举电路有效

专利信息
申请号: 201911259977.4 申请日: 2019-12-10
公开(公告)号: CN111049100B 公开(公告)日: 2021-09-03
发明(设计)人: 常红;肖培磊;罗永波;宣志斌 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第五十八研究所
主分类号: H02H3/20 分类号: H02H3/20;H02H3/24;H02H9/04
代理公司: 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 代理人: 杨立秋
地址: 214000 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 具有 功能 电路
【权利要求书】:

1.一种具有钳位功能的自举电路,用于半桥驱动电路中以驱动GaN功率器件,所述半桥驱动电路包括:

依次相连的第一前级电路、电平移位电路和第一缓冲器,所述第一缓冲器的输出端接NMOS管MN1的栅端;

依次相连的第二前级电路、延迟匹配电路和第二缓冲器,所述第二缓冲器的输出端接NMOS管MN2的栅端;

其特征在于,所述自举电路通过检测高侧浮动电源地端的电压是否达到设置的阈值电压,以判定是否阻断所述自举电路中自举电容的充电回路,防止自举电压过充;

所述自举电路包括:

电阻分压器、稳压二极管、电压比较器、第三缓冲器、PMOS管MP1、NMOS管MN3、自举二极管和自举电容;其中,

所述电阻分压器接节点V0,所述节点V0接所述电压比较器的负输入端,正输入端接参考电压Vref,所述电压比较器的输出端接所述第三缓冲器的输入端;

所述第三缓冲器的输出端接所述PMOS管MP1的栅端和所述NMOS管MN3的栅端;所述PMOS管MP1的的漏端接VDD,源端接所述自举二极管的阳极;所述NMOS管MN3的漏端接高侧浮动电源VDD端,源端接地;

所述稳压二极管的阳极接地,阴极接所述节点V0

所述的自举二极管的阴极接高侧浮动电源VDD端和所述自举电容的一端,所述的自举电容的另一端接高侧浮动电源地端。

2.如权利要求1所述的具有钳位功能的自举电路,其特征在于,所述电阻分压器包括相串联的电阻R1和R2,所述电阻R1一端接VDD,另一端接节点V0;所述电阻R2一端接节点V0,另一端接高侧浮动电源地端。

3.如权利要求1所述的具有钳位功能的自举电路,其特征在于,所述NMOS管MN1的源端与所述NMOS管MN2的漏端相连,所述NMOS管MN2的源端接地。

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