[发明专利]一种上转换光转换型LED的结温测量方法

权利要求书

1.一种上转换光转换型LED的结温测量方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1、根据上转换荧光粉的激活剂，在上转换荧光粉的光谱中选定第一发射带和第二发射带，检测不同温度下上述上转换荧光粉的光谱，并测定第一发射带和第二发射带的强度比，得到该强度比与温度关系的离散点数据；

S2、已知对于步骤S1中的激活剂，其光谱中第一发射带和第二发射带的强度比与温度遵循现有函数关系，将步骤S1中得到的离散点数据代入该函数关系，求出该函数关系中的常数项，从而得到该函数关系的精确表达式，即为温度测量标准；

S3、对于与步骤S1中材质相同的上转换荧光粉和红外半导体芯片制得的上转换光转换型LED，检测该LED的电致发光光谱，并测定该光谱中第一发射带和第二发射带的强度比；

S4、将步骤S3中得到的强度比代入步骤S2中的温度测量标准，计算得到上述上转换光转换型LED的结温。

2.根据权利要求1所述的一种上转换光转换型LED的结温测量方法，其特征在于：步骤S1中，激活剂为Tm³⁺、Ho³⁺、Er³⁺、Eu³⁺和Tb³⁺中的一种或两种以上。

3.根据权利要求2所述的一种上转换光转换型LED的结温测量方法，其特征在于：激活剂为Er³⁺，第一发射带对应的能级跃迁为²H_11/2→⁴I_15/2，第二发射带对应的能级跃迁为⁴S_3/2→⁴I_15/2。

4.根据权利要求2所述的一种上转换光转换型LED的结温测量方法，其特征在于：激活剂为Tm³⁺，第一发射带对应的能级跃迁为³H₄→³H₆，第二发射带对应的能级跃迁为¹G₄→³H₆。

5.根据权利要求2所述的一种上转换光转换型LED的结温测量方法，其特征在于：激活剂为Ho³⁺，第一发射带对应的能级跃迁为⁵F₅→⁵I₈，第二发射带对应的能级跃迁为⁵S₂/⁵F₄→⁵I₈。

6.根据权利要求2所述的一种上转换光转换型LED的结温测量方法，其特征在于：激活剂为Eu³⁺和Tb³⁺，第一发射带对应Eu³⁺的能级跃迁为⁵D₀→⁷F₂，第二发射带对应Tb³⁺的能级跃迁为⁵D₄→⁷F₅。

7.根据权利要求1所述的一种上转换光转换型LED的结温测量方法，其特征在于：步骤S1中，上转换荧光粉还包括敏化剂和基质晶格，所述敏化剂为Nd³⁺、Yb³⁺和Er³⁺中的一种或两种以上，所述基质晶格为氟化物、氧化物、氟氧化物或硫氧化物的微米尺寸粉体或纳米尺寸粉体。

8.根据权利要求1所述的一种上转换光转换型LED的结温测量方法，其特征在于：步骤S3中，红外半导体芯片的发射波长为808nm、940nm、976nm或1550nm。