[发明专利]一种三维存储器及其制备方法、一种光刻掩膜版

权利要求书

1.一种三维存储器，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括沿所述衬底平面方向上间隔排布的若干存储单元区，所述存储单元区在平行于所述方向的第一方向上的端部为栅极连接端；

填充材料层，所述填充材料层填充在所述堆叠结构的至少一部分之上以及所述存储单元区之间的衬底之上；

其中，沿平行于所述衬底平面方向的第二方向上的相邻两存储单元区之间具有第一间距，所述第二方向垂直于所述第一方向；沿所述第一方向上的相邻两存储单元区之间具有第二间距；所述第一间距小于等于所述第二间距；填充在所述第二方向上所述相邻两存储单元区之间的填充材料层在所述衬底平面方向上的投影具有第一形状，所述第一形状为非直线形。

2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述第一形状沿所述第一方向轴对称。

3.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述第一形状包括脉冲形或正弦形。

4.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述填充材料层包括正硅酸乙酯层。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的三维存储器，其特征在于，所述第一间距的范围为5μm -20μm。

6.根据权利要求1至4中任意一项所述的三维存储器，其特征在于，所述堆叠结构具有若干层栅极，所述若干层栅极在所述第一方向上的端部排列成阶梯状，所述第二间距为在所述第一方向上相邻两个存储单元区的最底层栅极之间的间距。

7.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供衬底，在所述衬底上形成堆叠层；

刻蚀所述堆叠层，以将所述堆叠层划分为沿所述衬底平面方向上间隔排布的若干存储单元区，所述存储单元区在平行于所述方向的第一方向上的端部为栅极连接端；

在所述堆叠层的至少一部分之上以及所述存储单元区之间的衬底之上形成填充材料层；

其中，沿平行于所述衬底平面方向的第二方向上的相邻两存储单元区之间具有第一间距，所述第二方向垂直于所述第一方向；沿所述第一方向上的相邻两存储单元区之间具有第二间距；所述第一间距小于等于所述第二间距；

所述刻蚀所述堆叠层，包括：

形成沿所述第一方向上延伸的隔槽，以将所述堆叠层划分为包括所述第二方向上的所述相邻两存储单元区；其中，所述隔槽在所述衬底平面方向上的投影具有第一形状，所述第一形状为非直线形。

8.根据权利要求7所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，所述第一形状沿所述第一方向轴对称。

9.根据权利要求7所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，所述第一形状包括脉冲形或正弦形。

10.根据权利要求7所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，所述形成填充材料层包括形成正硅酸乙酯层。

11.根据权利要求7至10中任意一项所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，所述第一间距的范围为5μm -20μm。

12.根据权利要求7至10中任意一项所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，所述堆叠层具有若干层栅极，所述若干层栅极在所述第一方向上的端部排列成阶梯状，所述第二间距为在所述第一方向上相邻两个存储单元区的最底层栅极之间的间距。