[发明专利]一种MoS2 在审
申请号: | 201911262258.8 | 申请日: | 2019-12-10 |
公开(公告)号: | CN112934242A | 公开(公告)日: | 2021-06-11 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 张婷 |
主分类号: | B01J27/051 | 分类号: | B01J27/051;B01J35/02 |
代理公司: | 西安启诚专利知识产权代理事务所(普通合伙) 61240 | 代理人: | 冯亮 |
地址: | 710065 陕西省西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 mos base sub | ||
1.一种MoS2-SnS2纳米片的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一、将钼酸铵、氯化锡溶解于水中,得到溶液;
步骤二、将P123加入到步骤一所述溶液中,搅拌均匀,得到悬浊液;
步骤三、将次氯酸钾加入到步骤二所述悬浊液中,搅拌使混合均匀;
步骤四、将步骤三混合后体系置于水热条件下反应;
步骤五、过滤,得到截留物,将截留物用气流磨研磨,得到MoS2-SnS2纳米片。
2.根据权利要求1所述的一种MoS2-SnS2纳米片的制备方法,其特征在于,步骤一所述钼酸铵与氯化锡的物质的量之比1:(1~3)。
3.根据权利要求1所述的一种MoS2-SnS2纳米片的制备方法,其特征在于,步骤四所述水热条件的温度为80℃~100℃,水热的时间为12h~24h。
4.根据权利要求1所述的一种MoS2-SnS2纳米片的制备方法,其特征在于,步骤五所述研磨的时间为4h~10h。
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