[发明专利]一种区熔硅单晶的收尾方法有效
| 申请号： | 201911262992.4 | 申请日： | 2019-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN112941615B | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 尚锐刚;王永涛;白杜鹃;刘建涛;崔彬;闫志瑞;高源;李明飞;聂飞 | 申请（专利权）人： | 有研半导体硅材料股份公司 |
| 主分类号： | C30B13/28 | 分类号： | C30B13/28;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青 |
| 地址： | 101300 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 区熔硅单晶 收尾 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种区熔硅单晶的收尾方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)当多晶尾料剩余10kg时，继续保持等径生长，直至多晶尾料剩余2kg时，多晶尾料速度以1-10mm/min的速度均匀降低直至多晶尾料速度归零后快速提断，晶体拉速和加热功率保持不变，此过程单晶直径将缓慢减小；
(2)当多晶尾料提断后，保持多晶尾料向提拉的方向移动，开启自动程序控制加热功率曲线和晶体拉速曲线，加热功率曲线先以0.5-1.5kw/min的速度均匀快速地下降至初始功率值的75％-85％，再以0.5-1.5kw/min的速度匀速增加，最高不超过初始功率值；晶体拉速以0.05-0.1mm/min的速度匀速降低至0，直至单晶熔体完全结晶后停炉冷却即可。
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