[发明专利]一种含有全氢聚硅氮烷废有机溶剂用于焚烧炉的利用方法

说明书

本发明公开一种含有全氢聚硅氮烷废有机溶剂用于焚烧炉的利用方法，所述方法包括以下步骤：步骤1，将含氢聚硅氮烷废有机溶剂进行浓度调和；步骤2，将焚烧炉耐火材料表面进行打磨处理；步骤3，将步骤1得到的含氢聚硅氮烷废有机溶剂涂覆在步骤2得到的焚烧炉耐火材料表面；步骤4，对步骤3得到的涂覆有含氢聚硅氮烷废有机溶剂的焚烧炉进行加热固化；步骤5，对步骤4得到的焚烧炉进行加热稳定化。通过本发明的方法，焚烧炉内的耐火材料表面形成致密的SiO₂保护膜，焚烧废液喷枪滴液无法浸入耐火材料本体，防止耐火材料的迸裂，改善了耐火材料的表面性质，大大提高耐火材料使用寿命。

技术领域

本发明涉及焚烧炉技术领域，具体为一种含有全氢聚硅氮烷废有机溶剂用于焚烧炉的利用方法。

背景技术

近年来，随着芯片制备行业的迅速发展，在芯片制造过程产生含全氢聚硅氮烷的废有机溶剂，目前采用向废有机溶剂中加水，全氢有机聚硅氮烷与水反应放出氨气和氢气，本身生成二氧化硅，过滤除去二氧化硅，水层焚烧处理，有机层综合利用。前述处理方法水解过程中产生的氨气与氢气在空气中易发生爆炸，水层焚烧处理成本高，产生二氧化硅作为生产水泥原料大大降低了利用价值。

发明内容

本发明的目的在于提供一种含有全氢聚硅氮烷废有机溶剂用于焚烧炉的利用方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种含有全氢聚硅氮烷废有机溶剂用于焚烧炉的利用方法，所述方法包括以下步骤：

步骤1，将含氢聚硅氮烷废有机溶剂进行浓度调和；

步骤2，将焚烧炉耐火材料表面进行打磨处理；

步骤3，将步骤1得到的含氢聚硅氮烷废有机溶剂涂覆在步骤2得到的焚烧炉耐火材料表面；

步骤4，对步骤3得到的涂覆有含氢聚硅氮烷废有机溶剂的焚烧炉进行加热固化，固化温度为120～180℃，固化时间为0.5～3.5h，同时向炉体内输入蒸汽；

步骤5，对步骤4得到的焚烧炉进行加热稳定化，稳定化温度为250～550℃，稳定化时间为1～5h。

优选的，所述步骤1中的浓度调和为浓缩或稀释。

优选的，所述步骤3中的涂覆为旋涂、刷涂、辊涂、喷涂的一种或任意两种以上结合。

优选的，所述步骤4中固化温度为140～160℃，固化时间为1.5～2h。

优选的，所述步骤4中固化温度为150℃，固化时间为2h。

优选的，所述步骤5中稳定化温度为350～450℃，稳定化时间为2～4h。

优选的，所述步骤5中稳定化温度为400℃，稳定化时间为3h。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：通过本发明的方法，将含氢聚硅氮烷废有机溶剂涂覆在危险废物炉耐火材料表面，通过固化、稳定化，焚烧炉内的耐火材料表面形成致密的SiO₂保护膜，焚烧废液喷枪滴液无法浸入耐火材料本体，防止耐火材料的迸裂，改善了耐火材料的表面性质，大大提高耐火材料使用寿命。

具体实施方式

下面对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例1