[发明专利]直流灭弧电路及装置有效

专利信息
申请号: 201911263720.6 申请日: 2018-07-18
公开(公告)号: CN110993403B 公开(公告)日: 2023-07-25
发明(设计)人: 郭桥石 申请(专利权)人: 广州市金矢电子有限公司
主分类号: H01H9/54 分类号: H01H9/54;H01H9/30
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 511447 *** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 直流 电路 装置
【权利要求书】:

1.一种直流灭弧装置,所需灭弧的机械开关与负载串联,其特征是:包括功率半导体器件、一电容,所述功率半导体器件与所述电容连接,所述机械开关分断过程中,一电流通过所述功率半导体器件、所述负载,用于所述机械开关分断灭弧,所述电流为所述电容的充电电流或放电电流;所述机械开关数量至少为二,分别为第一机械开关、第二机械开关;所述负载数量至少为二,分别为第一负载、第二负载;所述功率半导体器件数量至少为二,分别为第一功率半导体器件、第二功率半导体器件;所述第一机械开关与所述第一负载的连接端,与所述第二机械开关与所述第二负载的连接端,通过所述第一功率半导体器件、所述第二功率半导体器件相连接;所述第一功率半导体器件、所述第二功率半导体器件的共同端与所述电容连接,还包括一控制单元,所述控制单元与所述第一功率半导体器件、所述第二功率半导体器件连接,用于控制所述第一功率半导体器件、所述第二功率半导体器件导通,实现所述第一机械开关、所述第二机械开关分断灭弧。

2.根据权利要求1所述的直流灭弧装置,其特征是:所述功率半导体器件为半控型器件。

3.根据权利要求1所述的直流灭弧装置,其特征是:所述功率半导体器件为单向晶闸管。

4.根据权利要求1所述的直流灭弧装置,其特征是:还包括第四半导体开关,所述第四半导体开关与所述电容组成的第二串联装置与所述共同端连接,所述第四半导体开关的控制端与所述控制单元连接。

5.根据权利要求4所述的直流灭弧装置,其特征是:所述共同端的电压信号用于检测所述第一功率半导体器件、所述第二功率半导体器件工作状态。

6.根据权利要求4所述的直流灭弧装置,其特征是:所述第四半导体开关、所述第一功率半导体器件、所述第二功率半导体器件均为半控型器件。

7.根据权利要求1所述的直流灭弧装置,其特征是:所述控制单元、所述功率半导体器件组成一电压检测开关,所述机械开关与所述负载的连接端的电压信号传递至所述控制单元;所述电容与所述功率半导体器件组成第一串联电路,所述第一串联电路与所述机械开关并联。

8.根据权利要求7所述的直流灭弧装置,其特征是:所述电压信号为所述负载的电压,或相对于所述功率半导体器件的另一端的电压,或相对于所述机械开关的电源输入端的电压。

9.根据权利要求7所述的直流灭弧装置,其特征是:还包括用于对所述电容放电的放电单元,所述放电单元至少包括一放电开关,所述控制单元的控制信号传递至所述放电开关。

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