[发明专利]一种用于重掺锑直拉单晶硅的掺杂装置及掺杂方法

权利要求书

1.一种用于重掺锑直拉单晶硅的掺杂装置，其特征在于，该掺杂装置由透明的石英玻璃制成，包括固定支架、盛锑的石英杯和底托；

所述固定支架包括固定环和连接杆，该固定环为圆形，固定环上设有缺口，并通过该缺口插接固定在籽晶夹头上方；

所述石英杯的上部为圆筒形，下部为漏斗形且由五个小漏斗构成；所述石英杯的上端开口，下端在每个小漏斗底部设有通孔；

所述底托由四根圆柱形石英棒构成，各个石英棒相互对称地连接在石英杯的外壁上；

所述底托的石英棒下端与石英杯下端之间的距离为30mm。

2.根据权利要求1所述的用于重掺锑直拉单晶硅的掺杂装置，其特征在于，所述石英杯的圆筒形部分的外径为100mm，内径为94mm，高度为100mm。

3.根据权利要求1所述的用于重掺锑直拉单晶硅的掺杂装置，其特征在于，所述通孔直径为2mm。

4.一种使用权利要求1所述的掺杂装置生产重掺锑直拉单晶硅的掺杂方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)熔化的多晶硅在20～22Torr压力，气体流量为59～61slpm，一定温度下稳定2h；

(2)关闭隔离阀隔开上、下炉室，上炉室充气到720～740Torr打开；

(3)将掺杂装置通过缺口插入法固定在籽晶夹头上方，关闭炉门进行净化；

(4)净化完毕后，打开隔离阀将上、下炉室连通，调整炉室压力为70～80Torr，气体流量为50～60slpm，晶转0rpm，埚转1rpm；

(5)下降掺杂装置，等到石英棒下端刚刚要接触液面时进行掺杂；

(6)掺杂完毕后，上升掺杂装置至上炉室，关闭隔离阀并将上炉室充到720～740Torr打开，取下掺杂装置；净化上炉室后进行拉晶。