[发明专利]一种石墨烯超表面的双频带太赫兹吸波器在审
| 申请号： | 201911264478.4 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN110850517A | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 胡丹;王红燕;朱巧芬 | 申请（专利权）人： | 安阳师范学院 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 455000 *** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 表面 双频 赫兹 吸波器 | ||
1.一种石墨烯超表面的双频带太赫兹吸波器，其特征在于：该超表面吸波器由多个吸波器单元构成，吸波器单元由自下而上依次设置的底层金属薄膜(1)，中间介质层(2)和顶层石墨烯薄膜(3)组成，底层金属薄膜(1)、中间介质层(2)和顶层石墨烯薄膜(3)之间相互贴合。所述底层金属薄膜(1)是全金属薄膜，顶层石墨烯薄膜(3)是图案化的单层石墨烯，所述图案化单层石墨烯的几何中心、中间介质层(2)的几何中心以及底层金属薄膜(1)的几何中心在一条直线上。
2.根据权利要求1所述的一种石墨烯超表面的双频带太赫兹吸波器，其特征在于：所述每个吸波器单元的横剖面都为正方形，其边长P为2.1微米。
3.根据权利要求1所述的一种石墨烯超表面的双频带太赫兹吸波器，其特征在于：所述底层金属薄膜(1)的厚度d为0.5微米，由金、银、铜或铝中的一种制成。
4.根据权利要求1所述的一种石墨烯超表面的双频带太赫兹吸波器，其特征在于：中间介质层(2)是二氧化硅，其厚度t为3.6微米，相对介电常数为3.9。
5.根据权利要求1所述的一种石墨烯超表面的双频带太赫兹吸波器，其特征在于：所述的单层石墨烯结构进行图案化；所述图案是由四个几何形状完全相同的菱形和一个圆盘组成；所述四个菱形呈上下、左右镜像对称方式布置；所述四个菱形长对角线所对应的两个顶角中的一个顶角正对于中间介质层的四个边的中点，另一个顶角的顶点与圆盘的几何中心、中间介质层(2)的几何中心以及底层金属薄膜(1)的几何中心在一条直线上。
6.根据权利要求5所述的一种石墨烯超表面的双频带太赫兹吸波器，其特征在于：菱形的两条对角线长L1和L2分别为1.0微米和0.7微米，圆盘的半径r为0.2微米。
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