[发明专利]一种太赫兹调制器在审
| 申请号： | 201911264503.9 | 申请日： | 2019-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN111175996A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 杜良辉;朱礼国;王伟俊;唐培人;凌福日;翟召辉;李江;刘乔;周平伟;钟亚君 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院流体物理研究所 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 张欣欣 |
| 地址： | 621000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 赫兹 调制器 | ||
1.一种太赫兹调制器，其特征在于，所述太赫兹调制器包括：衬底、第一电极、第二电极以及电压电流源；
所述衬底包括相对的第一表面及第二表面，所述第一电极设置于所述第一表面、所述第二电极设置于所述第二表面；
所述电压电流源包括正极输出端及负极输出端，所述正极输出端与所述第一电极电连接，所述负极输出端与所述第二电极电连接；
所述电压电流源用于调节输出至所述衬底的电压，以使所述衬底进入雪崩击穿状态；所述电压电流源还用于当所述衬底进入雪崩击穿状态时转换为电流源，调节输出至所述衬底的电流以调整所述衬底的太赫兹波透过率。
2.根据权利要求1所述的太赫兹调制器，其特征在于，所述电压电流源的额定电流大于所述衬底的雪崩击穿电流。
3.根据权利要求1所述的所述的太赫兹调制器，其特征在于，所述衬底的厚度小于1000μm。
4.根据权利要求1所述的所述的太赫兹调制器，其特征在于，所述衬底的厚度为300μm。
5.根据权利要求1所述的太赫兹调制器，其特征在于，所述衬底的电阻率小于100Ω·cm。
6.根据权利要求1所述的太赫兹调制器，其特征在于，所述第一电极、所述第二电极的厚度为200μm。
7.根据权利要求1所述的所述的太赫兹调制器，其特征在于，所述第一电极为条形电极或环形电极。
8.根据权利要求1所述的所述的太赫兹调制器，其特征在于，所述第二电极为环形电极或条形电极。
9.根据权利要求1所述的所述的太赫兹调制器，其特征在于，所述衬底的材料包括P型硅、N型硅、锗或砷化镓中的一种。
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