[发明专利]电子设备

权利要求书

1.一种包括半导体存储器的电子设备，所述半导体存储器包括：

具有基本水平的上表面的基板；

第一至第N层，所述第一至第N层在所述基板上被设置成水平的层并且在垂直方向上在所述基板上方彼此间隔开，其中所述第一至第N层中的每一个包括多条导电线；

绝缘层，所述绝缘层被设置成填充所述导电线之间的空间；

具有侧壁的孔，所述孔在垂直方向上延伸穿过所述绝缘层并在所述导电线之间延伸，以在所述孔的侧壁中暴露所述第一至第N层的所述导电线；

可变电阻层，所述可变电阻层被设置在所述孔的侧壁上；以及

导电柱，所述导电柱被设置成填充在其中形成有所述可变电阻层的所述孔，

其中，N为2或大于2的自然数。

2.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述导电线在第一水平方向上延伸并且在与所述第一水平方向交叉的第二水平方向上彼此间隔布置。

3.根据权利要求2所述的电子设备，其中，所述导电柱、所述第一至第N层之一的所述多条导电线中的一条以及在它们之间的所述可变电阻层形成第一存储单元，以及

所述导电柱、同一层的所述多条导电线中的另一条以及在它们之间的所述可变电阻层形成第二存储单元。

4.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述多条导电线包括：基本上平行的第一导电线，所述第一导电线在第一水平方向上延伸并且在与所述第一水平方向交叉的第二水平方向上彼此间隔布置；以及基本上平行的第二导电线，所述第二导电线在所述第二水平方向上延伸并且在所述第一水平方向上彼此间隔布置；以及

所述第一导电线和所述第二导电线设置在所述第一至第N层的不同层中。

5.根据权利要求4所述的电子设备，其中，当所述第一导电线位于所述第一至第N层的第k层时，所述第二导电线位于第k+1层，其中，k是大于等于1且小于等于N-1的自然数。

6.根据权利要求4所述的电子设备，其中，所述导电柱、所述第一至第N层的所述第一导电线之一以及在它们之间的所述可变电阻层形成第一存储单元，

所述导电柱、所述第一至第N层的所述第一导电线中的另一条以及在它们之间的所述可变电阻层形成第二存储单元，

所述导电柱、所述第一至第N层的所述第二导电线之一以及在它们之间的所述可变电阻层形成第三存储单元，以及

所述导电柱、所述第一至第N层的所述第二导电线中的另一条以及在它们之间的所述可变电阻层形成第四存储单元。

7.根据权利要求4所述的电子设备，其中，所述孔在由所述第一导电线与所述第二导电线所界定的区域中延伸穿过所述绝缘层，其中，所述区域的平面形状是矩形。

8.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述导电线包括：第一导电线，所述第一导电线在第一水平方向上延伸并且在基本上垂直于所述第一水平方向的方向上彼此间隔布置；第二导电线，所述第二导电线在第二水平方向上延伸并且在基本上垂直于所述第二水平方向的方向上彼此间隔布置；第三导电线，所述第三导电线在第三水平方向上延伸并且在基本上垂直于所述第三水平方向的方向上彼此间隔布置，以及

所述第一导电线、所述第二导电线和所述第三导电线中的每一个位于所述第一至第N层的不同层，

其中，所述第一水平方向和所述第二水平方向不是垂直的，以及

其中，所述第三水平方向不与所述第一水平方向和所述第二水平方向垂直。

9.根据权利要求8所述的电子设备，其中，当所述第一导电线位于所述第一至第N层的第k层时，所述第二导电线位于第k+1层，所述第三导电线位于第k+2层，其中，k是大于等于1且小于等于N-2的自然数。