[发明专利]一种负向续流电流监测电路有效

专利信息
申请号: 201911264724.6 申请日: 2019-12-11
公开(公告)号: CN112946351B 公开(公告)日: 2023-04-11
发明(设计)人: 张长洪 申请(专利权)人: 圣邦微电子(北京)股份有限公司
主分类号: G01R19/175 分类号: G01R19/175
代理公司: 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 代理人: 朱亚娜;吴小灿
地址: 100089 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 流电 监测 电路
【权利要求书】:

1.一种负向续流电流监测电路,包括NMOS功率开关管及NMOS功率开关管通过第一节点和第二节点驱动的感性负载,其特征在于,所述NMOS功率开关管连接有闭合负反馈电流采集电路,所述闭合负反馈电流采集电路与所述NMOS功率开关管共同形成闭合负反馈电流采集回路,所述闭合负反馈电流采集回路监测并采集出流经所述NMOS功率开关管的负向续流电流;所述闭合负反馈电流采集电路包括NMOS电流采样管,所述NMOS电流采样管与所述NMOS功率开关管栅极互连且接高电平,所述NMOS电流采样管与所述NMOS功率开关管的漏极相连于所述第一节点,所述NMOS功率开关管的源极连接所述第二节点,所述NMOS电流采样管的源极连接第三节点;所述第三节点连接第二NMOS管的源极和第一NMOS电流输入管的源极与衬底,所述第一NMOS电流输入管的漏极通过第一电流源连接于工作电压;所述第二节点连接第二NMOS电流输入管的源极,所述第二NMOS电流输入管的漏极通过第二电流源连接于工作电压;所述第一NMOS电流输入管和所述第二NMOS电流输入管的栅极互连;所述第二节点通过第三电流源连接于所述第二NMOS管的源极,所述第二NMOS管的栅极连接所述第二NMOS电流输入管的漏极,所述第二NMOS管的漏极连接第三PMOS管的漏极,所述第三PMOS管的源极和衬底与工作电压相连,所述第三PMOS管与第四PMOS管的栅极互连,所述第四PMOS管的源极与工作电压相连,所述第一电流源、所述第二电流源、所述第一NMOS电流输入管、所述第二NMOS电流输入管、所述第二NMOS管和第三PMOS管共同作用使得所述第三节点与第二节点的电位相等,负向续流电流从所述第四PMOS管的漏极引出并转化为相应比例的正向电流;所述第一电流源与所述第三电流源的输出电流远小于流经所述NMOS电流采样管的电流。

2.根据权利要求1所述的负向续流电流监测电路,其特征在于,所述第三PMOS管与第四PMOS管的尺寸比例为1:1。

3.根据权利要求1所述的负向续流电流监测电路,其特征在于,所述第一电流源与所述第二电流源的输出电流相等,所述第一NMOS电流输入管和所述第二NMOS电流输入管的尺寸比例为1:1。

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