[发明专利]一种LED晶粒的光电性能检测方法

说明书

本发明提供一种LED晶粒的光电性能检测方法，包括如下步骤：1)用统一的标准片对所有机台进行校正，并指定其中至少一台为标准机且设定扩张比参数，余下不设定扩张比参数的为工作机；2)在非扩张状态下，将切割成晶粒的晶圆放置在工作机上，得到检测数据，检测时利用晶粒本身的位置及边长推算出晶粒上电极的位置；3)对晶圆进行扩张处理，并转移至标准机上再一次进行抽测，得到标准数据；4)将检测数据与标准数据进行比较，对于误差不超过3％的，系统处理数据时根据抽测值进行修正，而误差在3％以上的则判定检测该片晶圆的工作机出现异常，同时向工程师发出警示。本发明取消了检测时对晶圆的扩张和扫描步骤，实现了对产品的一致性管控。

技术领域

本发明涉及LED技术领域，特别地，涉及一种可提高LED晶粒光电性能检测速度的方法。

背景技术

LED晶粒在被制作成发光二极管之前还要经过光电性能检测以及分选工序。其中，光电性能检测主要是通过光电测试机对所有LED晶粒的电压(VF)、波长(WD)、亮度(LOP)和抗静电能力(ESD)等相关电性性能进行一一检测，进而确定各批次产品的实际参数情况，为后续向购买晶粒的客户提供产品的准确信息。

目前的LED晶粒检测主要采用传统方法：首先将LED晶圆切割成一颗颗的晶粒，然后将相邻晶粒间的间距扩张至原来的1.2倍，此时为最标准的LED晶粒电性参数条件，在该条件下测得各电性参数的数值也最接近于实际情况，最后将扩张后的晶圆转移到机台上进行检测，检测前还需配合扩张好的晶圆在每个机台上设定扩张比参数。

所谓扩张比，是指当对同一批次产品进行检测时，首先在非扩张状态下对第一片晶圆内的晶粒进行抽测，得到第一亮度平均值，然后对该晶圆进行1.2倍扩张并对原来的抽样点再一次进行检测，得到第二亮度平均值，两个亮度平均值之间的比值即为扩张比。

由于不同尺寸规格的晶圆在检测时所对应的扩张比是不同的，因此在加工不同批次产品时需要对所有机台的扩张比参数重新进行设定，而机台数量众多，不仅造成了时间上的浪费，而且极容易出现扩张比输入错误的情况。

除了上述人为失误之外，由于不同机台之间本身就存在一定误差，虽然在检测前用统一的标准片对所有机台进行了校正，也不能完全避免机台在工作时出现异常，考虑到目前对于机台是否正常工作仍缺乏有效的反馈手段，因此，即使有部分机台出现异常也很难被及时发现，导致客户购买的产品中混入次品，引发后续退换货甚至经济赔偿问题。

光电测试机的工作原理是利用探针对晶粒上的两个正负极进行点亮测试，因此在检测过程中必须明确每颗晶粒上电极的实际位置，而扩张后晶圆内晶粒(除原点晶粒外)的位置均发生变化，因此晶粒上电极的位置也随之变化，这就需要对整个晶粒阵列逐一进行扫描，耗费了大量时间，加之晶圆扩张也导致检测机构的总移动距离大大增加，如每扫描一片4英寸规格的晶圆产品至少需要10分钟，这严重影响了光电检测的整体效率。

综上所述，现有的LED晶粒检测方法存在效率低下的问题，且难以确保对众多机台产品检测结果的一致性管控和及时反馈。

发明内容

本发明的目的在于提供一种检测效率高且产品检测结果一致性好的LED晶粒光电性能检测方法，以解决背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供一种LED晶粒的光电性能检测方法，包括如下步骤：

1)用统一的标准片对所有机台进行校正，并指定其中至少一台为标准机，余下的为工作机，所有标准机均根据产品的尺寸规格设定好对应的扩张比参数，所有工作机均不设定扩张比参数；

2)在非扩张状态下，将切割成晶粒的晶圆放置在工作机上进行检测，得到检测数据；

3)对晶圆进行扩张处理，并转移至标准机上再一次进行抽测，得到标准数据；