[发明专利]处理半导体晶圆的光刻胶涂布及显影系统和方法在审
申请号: | 201911265686.6 | 申请日: | 2019-12-11 |
公开(公告)号: | CN111326450A | 公开(公告)日: | 2020-06-23 |
发明(设计)人: | 张成根;林钟吉;权炳仁 | 申请(专利权)人: | 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677;G03F7/09;G03F7/26 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 彭辉剑;龚慧惠 |
地址: | 266000 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 半导体 光刻 胶涂布 显影 系统 方法 | ||
1.一种用于处理多个由前开式晶圆传送盒(FOUP)承载的半导体晶圆的光刻胶涂布及显影系统,其特征在于,包括:
处理区域,包括第一组处理模块和第二组处理模块,每个所述处理模块均配置成处理所述晶圆;
第一公共区域,联接至所述处理区域的所述第一组处理模块,包括第一机械手和至少两个第一FOUP端口,每个所述第一FOUP端口均配置成定位一个所述FOUP,所述第一机械手配置成在位于所述第一FOUP端口处的FOUP与所述第一组处理模块之间转移所述晶圆;以及
第二公共区域,联接至所述处理区域的所述第二组处理模块,包括第二机械手和至少两个第二FOUP端口,每个所述第二FOUP端口均配置成定位一个所述FOUP,所述第二机械手配置成在位于所述第二FOUP端口处的FOUP与所述第二组处理模块之间转移所述晶圆。
2.如权利要求1所述的光刻胶涂布及显影系统,其特征在于,所述至少两个第一FOUP端口包括至少一个入站FOUP端口以及至少一个出站FOUP端口,所述入站FOUP端口配置成定位承载有未处理的晶圆的所述FOUP,并且所述出站FOUP端口配置成定位承载有处理后的晶圆的所述FOUP,所述至少两个第二FOUP端口包括至少一个入站FOUP端口以及至少一个出站FOUP端口,所述入站FOUP端口配置成定位承载有未处理的晶圆的所述FOUP,并且所述出站FOUP端口配置成定位承载有处理后的晶圆的所述FOUP。
3.如权利要求1所述的光刻胶涂布及显影系统,其特征在于,所述处理区域具有第一侧以及与所述第一侧平行的第二侧,所述第一公共区域的所述第一FOUP端口沿着所述处理区域的所述第一侧设置,并且所述第二公共区域的所述第二FOUP端口沿着所述处理区域的所述第二侧设置。
4.如权利要求1所述的光刻胶涂布及显影系统,其特征在于,所述第一组和第二组中的每个所述处理模块均包括配置成处理所述晶圆的多个单元,并且所述处理模块的每个所述单元均配置成执行至少一个以下制程:增粘制程、旋涂制程、至少一个施涂后烘烤制程以及冷却板制程,所述第一组和第二组中的每个所述处理模块还包括过渡台,所述过渡台配置成在将所述晶圆转移到所述单元之前定位所述晶圆。
5.如权利要求1所述的光刻胶涂布及显影系统,其特征在于,所述至少两个第一FOUP端口包括两个入站FOUP端口和两个出站FOUP端口,并且所述第一组处理模块包括三个处理模块,所述光刻胶涂布及显影系统还包括第一FOUP交换器,所述第一FOUP交换器联接至所述第一公共区域,并且配置成在所述第一FOUP端口之间交换所述FOUP。
6.如权利要求1所述的光刻胶涂布及显影系统,其特征在于,所述至少两个第二FOUP端口包括两个入站FOUP端口和两个出站FOUP端口,所述第二组处理模块包括三个处理模块,所述光刻胶涂布及显影系统还包括第二FOUP交换器,所述第二FOUP交换器联接至所述第二公共区域,并且配置成在所述第二FOUP端口之间交换所述FOUP。
7.如权利要求1所述的光刻胶涂布及显影系统,其特征在于,所述至少两个第一FOUP端口中的每个端口均用作入站FOUP端口和出站FOUP端口,所述入站FOUP端口用于定位承载有多个未处理的晶圆的FOUP,而所述出站FOUP端口用于定位承载有处理后的晶圆的FOUP。
8.如权利要求1所述的光刻胶涂布及显影系统,其特征在于,所述至少两个第二FOUP端口中的每个端口均用作入站FOUP端口和出站FOUP端口,所述入站FOUP端口用于定位承载有多个未处理的晶圆的FOUP,而所述出站FOUP端口用于定位承载有处理后的晶圆的FOUP。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造