[发明专利]一种基于Mn掺杂双发射Ag-In-Ga-S合金量子点的白光发光二极管的制备方法

权利要求书

1.一种基于Mn掺杂双发射Ag-In-Ga-S合金量子点的白光发光二极管的制备方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤，

(1)制备得到绿色环保型量子点AgInGaS₂；

(2)在步骤(1)的AgInGaS₂量子点反应的基础上注入Mn²⁺原液，得到Mn掺杂双发射Ag-In-Ga-S四元合金量子点；

(3)将制备得到Mn掺杂双发射Ag-In-Ga-S四元合金量子点涂覆在蓝光发光二极管芯片上制得白光发光二极管。

2.根据权利要求1所述的一种基于Mn掺杂双发射Ag-In-Ga-S合金量子点的白光发光二极管的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中制备得到绿色环保型量子点AgInGaS₂的具体步骤为将硝酸银、醋酸铟、乙酰丙酮镓按照摩尔比1:6:1的比例放入容器中，用滴管将2ml正十二硫醇、2ml油胺以及5ml 1-十八稀加入到50ml三口圆底烧瓶内作为主反应；将三口瓶中的混合物在N₂气条件下加热到80℃，开始抽真空，抽真空进行15分钟；抽真空结束后开始换气，先通氩气2分钟，再抽真空10分钟，如此循环换气3遍；换气结束通氩气一直到实验结束并加热到90℃，快速注入提前准备的1mmol的硫和2.5ml的1-十八稀混合溶液，此时溶液由澄清透明变为红褐色；继续保温90℃大约30min。

3.根据权利要求1所述的一种基于Mn掺杂双发射Ag-In-Ga-S合金量子点的白光发光二极管的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中注入Mn²⁺原液后反应升至到150℃，逐滴滴加0.2mmol的醋酸锰与2mL油胺混合，反应温度保持150℃；大约60min后将反应温度降到室温，得到Mn掺杂双发射Ag-In-Ga-S四元合金量子点。

4.根据权利要求1所述的一种基于Mn掺杂双发射Ag-In-Ga-S合金量子点的白光发光二极管的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)具体为将Mn掺杂双发射Ag-In-Ga-S四元合金量子点原液、丙酮和正己烷体积比为1：1：3进行混合，使量子点促沉淀；然后将混合物在8000rpm下高速离心5min，去除上清液，此步骤反复三次；接着，在真空干燥箱中，将沉淀物在40～50℃下干燥两小时得到量子点粉末；为了制备白光发光二极管，将制备得到的Mn掺杂双发射Ag-In-Ga-S四元合金量子点粉末溶解在氯仿中，浓度为0.12g/mL；并制备浓度为0.2g/mL的聚甲基烯酸甲酯—氯仿溶液备用；将制备的Mn掺杂双发射Ag-In-Ga-S四元合金量子点—氯仿溶液和聚甲基烯酸甲酯—氯仿溶液等体积混合均匀，并滴涂在蓝色GaN LED芯片上，将其在紫外灯下蒸发溶剂使含有量子点的PMMA固化，得到量子点的白光发光二极管。