[发明专利]一种场发射荧光材料及其制备方法

权利要求书

1.一种场发射荧光材料，其特征在于：包括荧光粉末颗粒和分散附着在荧光粉末颗粒表面的导电膜；

其中，所述荧光粉末颗粒的化学组成式为：(Lu_1-a-b-cY_aSc_b)₃Ga₅O₁₂:Eu_c，其中，0＜a＜0.10，0＜b＜0.15，0＜c＜0.15；

所述导电膜的化学组成式为：Sn_1-d-eO₂:Sb_d,Eu_e,F_f，其中，0＜d＜0.10，0＜e＜0.08,0＜f＜0.05。

2.根据权利要求1所述的场发射荧光材料，其特征在于：所述导电膜与所述荧光粉末颗粒的摩尔比为(5～20):100。

3.制备如权利要求1或2所述的场发射荧光材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)制备荧光粉末颗粒：根据荧光粉末颗粒的化学组成式中阳离子的化学计量比，按比例称取原料粉末Lu₂O₃,Y₂O₃,Sc₂O₃,Ga₂O₃和Eu₂O₃，以及粉末状助剂，依次经研磨混合均匀、烧结、清洗、烘干获得荧光粉末颗粒；

(2)配置制备导电膜的前驱液：根据导电膜的化学组成，配制含相应阳离子的混合盐溶液；

(3)制备荧光粉：先将步骤(1)中所制备的荧光粉末颗粒粉末混入盐酸或硝酸中形成浆料A，之后将浆料A与步骤(2)所配置的前驱液按一定的质量比混合均匀形成浆料B，随后将浆料B洗涤后根据导电膜的化学组成式向其中加入HF，混合均匀后经烘干、烧结得到目标荧光粉。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述粉末状助剂由KCl和KF组成，其中所述KF在粉末状助剂中所占摩尔比为0.5～5％；所述粉末状助剂与原料粉末的总质量比为0.5～3.5:1。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：在所述步骤(1)中，烧结温度为1350～1550℃；烧结时间为2～10h。

6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：在所述步骤(3)中，烧结温度为400～1450℃，烧结时间为0.5～5h。

7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：步骤(2)中所配置的前驱液的PH值为0.1～3.0。

8.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：步骤(3)中在配置浆料A和浆料B的过程中还包括对温度和PH值的调节，其中，混合过程中，所述温度控制在40～80℃；所述浆料A的PH值调节为0.1～3.0，所述浆料B的PH值调节为7.0～12.0。