[发明专利]热处理方法及热处理装置在审
申请号: | 201911266333.8 | 申请日: | 2019-12-11 |
公开(公告)号: | CN111312617A | 公开(公告)日: | 2020-06-19 |
发明(设计)人: | 上野智宏;青山敬幸;大森麻央;北澤貴宏;秋吉克一 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 陈甜甜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 热处理 方法 装置 | ||
1.一种热处理方法,其特征在于,通过对衬底照射闪光来加热该衬底,且具备:
制程配方设定工序,对成为处理对象的衬底设定规定了处理顺序及处理条件的制程配方;
反射率测定工序,测定所述衬底的反射率;
温度估算工序,基于在所述制程配方设定工序中设定的制程配方与在所述反射率测定工序中测定出的反射率,估算加热处理时的所述衬底的温度;以及
显示工序,显示在所述温度估算工序中估算出的所述衬底的温度。
2.一种热处理方法,其特征在于,通过对衬底照射闪光来加热该衬底,且具备:
反射率测定工序,测定成为处理对象的衬底的反射率;
提取工序,从将规定了反射率、处理顺序及处理条件的制程配方以及加热处理时的衬底的温度相互建立关联的数据库,提取与在所述反射率测定工序中测定出的反射率对应的制程配方及衬底的温度;以及
显示工序,显示在所述提取工序中提取的制程配方及衬底的温度。
3.根据权利要求2所述的热处理方法,其特征在于,
还具备设定工序,该设定工序基于在所述提取工序中提取的制程配方及衬底的温度设定成为所述处理对象的衬底的处理条件。
4.一种热处理方法,其特征在于,通过对衬底照射闪光来加热该衬底,且具备:
反射率测定工序,测定成为处理对象的衬底的反射率;
处理条件估算工序,基于在所述反射率测定工序中测定出的反射率估算所述衬底达到加热处理时的目标温度所需要的处理条件;以及
显示工序,显示在所述处理条件估算工序中估算出的处理条件。
5.根据权利要求4所述的热处理方法,其特征在于,
还具备设定工序,该设定工序对所述衬底设定规定了在所述处理条件估算工序中估算出的处理条件的制程配方。
6.一种热处理方法,其特征在于,通过对衬底照射光来加热该衬底,且具备:
输入工序,输入成为处理对象的衬底的预想反射率;
反射率测定工序,测定所述衬底的反射率;
比较工序,将在所述反射率测定工序中测定出的反射率与所述预想反射率进行比较;以及
警示工序,当在所述反射率测定工序中测定出的反射率偏离所述预想反射率超出特定范围时发出警告。
7.一种热处理装置,其特征在于,通过对衬底照射闪光来加热该衬底,且具备:
腔室,收容成为处理对象的衬底;
闪光灯,对收容于所述腔室内的所述衬底照射闪光;
输入部,受理规定了对于所述衬底的处理顺序及处理条件的制程配方的设定;
反射率测定部,测定所述衬底的反射率;
温度估算部,基于从所述输入部设定的制程配方与由所述反射率测定部测定出的反射率,估算加热处理时的所述衬底的温度;以及
显示部,显示由所述温度估算部估算出的所述衬底的温度。
8.一种热处理装置,其特征在于,通过对衬底照射闪光来加热该衬底,且具备:
腔室,收容成为处理对象的衬底;
闪光灯,对收容于所述腔室内的所述衬底照射闪光;
反射率测定部,测定所述衬底的反射率;
存储部,存储将规定了反射率、处理顺序及处理条件的制程配方以及加热处理时的衬底的温度相互建立关联的数据库;
提取部,从所述数据库提取与由所述反射率测定部测定出的反射率对应的制程配方及衬底的温度;以及
显示部,显示由所述提取部提取的制程配方及衬底的温度。
9.根据权利要求8所述的热处理装置,其特征在于,
还具备设定部,该设定部基于由所述提取部提取的制程配方及衬底的温度设定成为所述处理对象的衬底的处理条件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社斯库林集团,未经株式会社斯库林集团许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911266333.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:片状压敏电阻
- 下一篇:具有电池单池的电池模块单元
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造