[发明专利]一种用于高掺钪浓度氮化铝生长的结构在审
申请号: | 201911266969.2 | 申请日: | 2019-12-11 |
公开(公告)号: | CN110931629A | 公开(公告)日: | 2020-03-27 |
发明(设计)人: | 尚正国;陈宇昕 | 申请(专利权)人: | 重庆大学 |
主分类号: | H01L41/047 | 分类号: | H01L41/047;H01L41/18;H01L41/29;H01L41/39;B81C1/00;C23C14/35;C23C14/16;C23C14/06;C23C14/18;C23C14/58 |
代理公司: | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人: | 赵荣之 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 高掺钪 浓度 氮化 生长 结构 | ||
1.一种用于高掺钪浓度氮化铝生长的结构,其特征在于:
从下到上依次包括:硅衬底、粘附层、下电极层、氮化铝种子层、低掺钪浓度氮化铝钪种子层和高掺钪浓度氮化铝钪压电层。
2.根据权利要求1所述的一种用于高掺钪浓度氮化铝生长的结构,其特征在于:所述粘附层采用钛或氮化铝材料。
3.根据权利要求1所述的一种用于高掺钪浓度氮化铝生长的结构,其特征在于:所述下电极层采用Mo或Pt材料。
4.根据权利要求1所述的一种用于高掺钪浓度氮化铝生长的结构,其特征在于:所述低掺钪浓度氮化铝钪种子层为钪含量/铝含量小于1/3的氮化铝钪。
5.根据权利要求1所述的一种用于高掺钪浓度氮化铝生长的结构,其特征在于:所述高掺钪浓度氮化铝压电层为钪含量/铝含量大于1/3的氮化铝钪。
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