[发明专利]一种改善半导体激光阵列光谱半宽的微通道热沉有效
申请号: | 201911267011.5 | 申请日: | 2019-12-11 |
公开(公告)号: | CN110957632B | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
发明(设计)人: | 罗校迎;于振坤;郎超;冉维彬;耿琳;徐磊;陈晓华 | 申请(专利权)人: | 北京凯普林光电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01S5/024 | 分类号: | H01S5/024 |
代理公司: | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人: | 权鲜枝;杨博涛 |
地址: | 100070 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 改善 半导体 激光 阵列 光谱 通道 | ||
1.一种改善半导体激光阵列光谱半宽的微通道热沉,其特征在于,该微通道热沉包括:自下而上依次设置的底层、进出液层、隔离层、换热层和顶层;
所述顶层表面用于安装半导体激光阵列,在所述半导体激光阵列安装区域的下方,所述换热层设置有横向分布的微通道阵列,所述微通道阵列从所述半导体激光阵列的后腔面向前腔面逐渐密集分布,所述微通道阵列的液体流向沿所述半导体激光阵列的慢轴方向,从所述微通道阵列的中间向两侧流动;
所述微通道阵列呈弧形横向分布,从所述半导体激光阵列的前腔面起始,所述微通道阵列从中间到两侧为轴对称图形,且在对称轴处距离所述微通道热沉的前端最近,为0.3-0.5mm,两端距离相比中间厚0.1mm;
所述微通道阵列的各条通道之间,通道脊的宽度沿所述半导体激光阵列的前腔面向后等差递增,差值为0.05mm。
2.根据权利要求1所述的微通道热沉,其特征在于,所述微通道热沉的各层通过光化学刻蚀成所需图形,所述微通道热沉的各层为无氧铜材质,通过扩散焊接或者预镀焊料焊接成一整体。
3.根据权利要求1所述的微通道热沉,其特征在于,所述微通道热沉的各层厚度相同或不同,每层厚度为0.24-1mm,总厚度为1.2-5mm。
4.根据权利要求1所述的微通道热沉,其特征在于,所述微通道阵列的通道宽度为0.3-0.5mm,所述微通道阵列的通道脊宽度为0.25-0.5mm。
5.根据权利要求4所述的微通道热沉,其特征在于,所述微通道阵列的通道宽度为0.4mm。
6.根据权利要求1所述的微通道热沉,其特征在于,所述微通道阵列的散热区域宽度为2.5-5.5mm。
7.根据权利要求1所述的微通道热沉,其特征在于,所述进出液层设置纵向液槽,中间液槽为进液槽,与进液孔连接,两侧液槽为回液槽,与回液孔连接;
所述隔离层的中间设有缓流槽,两侧设有隔离层回液分压流道;所述缓流槽形状为S型,向上连通所述换热层的微通道阵列的中间位置,所述隔离层回液分压流道向上连通所述换热层的微通道阵列的横向两端。
8.根据权利要求7所述的微通道热沉,其特征在于,所述换热层还设置有换热层回液分压流道,所述换热层回液分压流道在所述换热层内连通回液孔。
9.根据权利要求1所述的微通道热沉,其特征在于,所述微通道阵列所构成的流体区域宽度小于半导体激光阵列的封装宽度。
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