[发明专利]一种LED显示芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201911267247.9 | 申请日： | 2019-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN110767794A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 华利生;周逢春;张斌斌 | 申请（专利权）人： | 江苏新广联科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司： | 32104 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) | 代理人： | 曹祖良;陈丽丽 |
| 地址： | 214192 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化镓层 焊盘电极层 透明电极层 第一导电类型 导电类型 衬底 半导体技术领域 焊盘电极 量子阱层 依次设置 芯片 制作 | ||
1.一种LED显示芯片，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上依次设置第一导电类型氮化镓层、量子阱层和第二导电类型氮化镓层，所述第二导电类型氮化镓层上设置透明电极层，所述透明电极层上设置焊盘电极层，所述焊盘电极层包括多个焊盘电极，所述焊盘电极层分别与所述第一导电类型氮化镓层和所述透明电极层连接。
2.根据权利要求1所述的LED显示芯片，其特征在于，所述焊盘电极层包括第一焊盘电极、第二焊盘电极和第三焊盘电极，所述第一焊盘电极和所述第二焊盘电极均与所述透明电极层连接，所述第三焊盘电极与所述第一导电类型氮化镓层连接。
3.根据权利要求2所述的LED显示芯片，其特征在于，所述第三焊盘电极穿过通孔与所述第一导电类型氮化镓层连接，其中所述通孔贯穿所述量子阱层和第二导电类型氮化镓层。
4.根据权利要求3所述的LED显示芯片，其特征在于，所述焊盘电极层与所述透明电极层之间设置有绝缘层，所述通孔的侧壁上均设置有绝缘层。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的LED显示芯片，其特征在于，所述LED显示芯片包括N型LED显示芯片和P型LED显示芯片，当所述LED显示芯片为N型LED显示芯片时，第一导电类型为N型，第二导电类型为P型；当所述LED显示芯片为P型LED显示芯片时，第一导电类型为P型，第二导电类型为N型。
6.根据权利要求1所述的LED显示芯片，其特征在于，所述衬底包括蓝宝石衬底。
7.一种LED显示芯片的制作方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底上依次生长第一导电类型氮化镓层、量子阱层和第二导电类型氮化镓层；
对所述量子阱层和所述第二导电类型氮化镓层进行刻蚀以暴露所述第一导电类型氮化镓层；
在所述第二导电类型氮化镓层上制作透明电极层；
在所述透明电极层上制作绝缘层；
在所述绝缘层上制作焊盘电极层，且所述焊盘电极层与所述第一导电类型氮化镓层和所述透明电极层连接。
8.根据权利要求7所述的LED显示芯片的制作方法，其特征在于，所述对所述量子阱层和所述第二导电类型氮化镓层进行刻蚀以暴露所述第一导电类型氮化镓层，包括：
在所述第二导电类型氮化镓层上涂覆光刻胶；
根据掩膜图形对所述光刻胶进行光照；
对光照后的所述量子阱层和所述第二导电类型氮化镓层进行刻蚀，暴露出所述第一导电类型氮化镓层。
9.根据权利要求7所述的LED显示芯片的制作方法，其特征在于，所述在所述绝缘层上制作焊盘电极层，且所述焊盘电极层与所述第一导电类型氮化镓层和所述透明电极层连接，包括：
根据光刻胶掩膜技术制作焊盘电极图形；
在所述绝缘层上通过电子束蒸发设备以及所述焊盘电极图形制作焊盘电极，其中，所述焊盘电极包括第一焊盘电极、第二焊盘电极和第三焊盘电极；所述第一焊盘电极和所述第二焊盘电极均与所述透明电极层连接，所述第三焊盘电极与所述第一导电类型氮化镓层连接。
10.根据权利要求9所述的LED显示芯片的制作方法，其特征在于，所述焊盘电极包括依次设置在所述绝缘层上的Cr、Al、Ti、Pt、Ni和Au。
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