[发明专利]一种ZnGaO紫外探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种ZnGaO紫外探测器，其特征在于，包括依次复合而成的衬底、锌镓氧材料薄膜、金属叉指电极和铟电极；

所述锌镓氧材料薄膜中锌与镓的原子比大于1:2，所述锌镓氧材料薄膜为尖晶石结构；

所述锌镓氧材料薄膜的制备方法包括以下步骤：

以有机锌化合物作为锌源，有机镓化合物作为镓源，以高纯氧气为氧源，利用金属有机化合物化学气相沉积法在衬底表面生长锌镓氧材料薄膜；

所述有机锌化合物以高纯氮气为载气，所述载气的起始流速为5~20 mL/min，在生长锌镓氧材料薄膜过程中，逐渐升高载气的流量，所述升高的速率为0~4.5 mL/30min；升高载气的流量的持续时间为1~5小时；

在生长锌镓氧材料薄膜过程中，以0.01~5℃/min的降温速率逐渐降低生长的温度，所述降温的时间为0.5~5 h，所述降温的时间≤所述生长的时间。

2.根据权利要求1所述的紫外探测器，其特征在于，所述锌镓氧材料薄膜的吸收截止边位于250±10nm。

3.根据权利要求1所述的紫外探测器，其特征在于，所述有机锌化合物为二乙基锌和/或二甲基锌；所述有机镓化合物为三甲基镓和/或三乙基镓。

4.根据权利要求1所述的紫外探测器，其特征在于，所述氧气的流速为100~1000 mL/min。

5.根据权利要求1所述的紫外探测器，其特征在于，所述生长的时间为0.5~5 h，所述生长的起始温度为500~800 ℃；

进行生长的真空度为2*10²~1*10⁴Pa。

6.根据权利要求1所述的紫外探测器，其特征在于，所述生长结束后，降低衬底的温度至室温，降温速率为0.1~50 ℃/min。

7.根据权利要求1所述的紫外探测器，其特征在于，所述金属叉指电极为金叉指电极，所述金属叉指电极的厚度为20~40nm。

8.一种如权利要求1~7任意一项所述的紫外探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

A）以有机锌化合物作为锌源，有机镓化合物作为镓源，以高纯氧气为氧源，利用金属有机化合物化学气相沉积法在衬底表面沉积锌镓氧材料薄膜；

所述锌镓氧材料薄膜中锌与镓的原子比大于1:2，所述锌镓氧材料薄膜为尖晶石结构；

所述锌镓氧材料薄膜的制备方法包括以下步骤：

以有机锌化合物作为锌源，有机镓化合物作为镓源，以高纯氧气为氧源，利用金属有机化合物化学气相沉积法在衬底表面生长锌镓氧材料薄膜；

所述有机锌化合物以高纯氮气为载气，所述载气的起始流速为5~20 mL/min，在生长锌镓氧材料薄膜过程中，逐渐升高载气的流量，所述升高的速率为0~4.5 mL/30min；升高载气的流量的持续时间为1~5小时；

在生长锌镓氧材料薄膜过程中，以0.01~5℃/min的降温速率逐渐降低生长的温度，所述降温的时间为0.5~5 h，所述降温的时间≤所述生长的时间；

B）在所述锌镓氧材料薄膜上使用负胶光刻形成叉指电极掩膜，溅射金属后去除胶体掩膜，得到金属叉指电极；

C）在叉指电极上按压In粒，得到MSM结构的ZnGaO紫外探测器。