[发明专利]一种垂直腔面发射激光器及其制作方法

权利要求书

1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括垂直腔面发射激光器组件、位于所述垂直腔面发射激光器组件表面的第一绝缘层、位于所述第一绝缘层的上表面的加热组件；

所述加热组件包括金属层、接线垫、连接所述金属层和所述接线垫的导线；所述垂直腔面发射激光器组件包括从下至上依次分布的N型背面电极、衬底、N面DBR层、位于所述N面DBR层上表面第一预设区域的凸起结构，和分布在所述N面DBR层上表面除所述第一预设区域、所述凸起结构侧面、所述凸起结构上表面第二预设区域的第二绝缘层，以及分布在所述第二绝缘层外表面的P型注入电极。

2.如权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述第一绝缘层位于所述凸起结构上表面。

3.如权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述第一绝缘层位于所述P型注入电极的第三预设区域，其中，所述第三预设区域对应所述N面DBR层上表面除所述第一预设区域以外的区域。

4.如权利要求1至3任一项所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述第一绝缘层为二氧化硅层、氧化铝层、氮化硅层中的任一种。

5.如权利要求4所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述金属层为往返环绕型环形金属层。

6.如权利要求5所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述衬底为砷化镓衬底。

7.一种垂直腔面发射激光器制作方法，其特征在于，包括：

在衬底的上表面生长N面DBR层；

在所述N面DBR层上表面的第一预设区域生长凸起结构；

在所述N面DBR层上表面除所述第一预设区域、上锁凸起结构侧面、所述凸起结构上表面第二预设区域生长第二绝缘层；

在所述第二绝缘层外表面生长P型注入电极，得到垂直腔面发射激光器组件；

在所述垂直腔面发射激光器组件的表面生长第一绝缘层；

所述第一绝缘层的上表面的形成金属层、接线垫、连接所述金属层和所述接线垫的导线；

在所述衬底的下表面生长N型背面电极。

8.如权利要求7所述的垂直腔面发射激光器制作方法，其特征在于，所述在所述N面DBR层的上表面生长凸起结构包括：

在所述N面DBR层的上表面生长外延片；

采用光刻技术对所述外延片进行刻蚀，得到预处理凸起结构，所述预处理凸起结构包括由下至上依次层叠的第一空间层、有源层、第二空间层、待氧化层、P面DBR层；

对所述待氧化层进行氧化，得到氧化层；

在所述氧化层中制作电流注入孔，得到所述凸起结构。

9.如权利要求7或8所述的垂直腔面发射激光器制作方法，其特征在于，所述在所述垂直腔面发射激光器组件的表面生长第一绝缘层包括：

在所述凸起结构上表面生长所述第一绝缘层。

10.如权利要求7或8所述的垂直腔面发射激光器制作方法，其特征在于，所述在所述垂直腔面发射激光器组件的表面生长第一绝缘层包括：

在所述P型注入电极的第三预设区域生长所述第一绝缘层，其中，所述第三预设区域对应所述N面DBR层上表面除所述第一预设区域以外的区域。